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1)  trench capacitor
沟道电容
2)  trench-type capacitor
沟道式电容器
3)  channel current
沟道电流
1.
The influence of different data collection time of channel current on the side gating hysteresis effect is studied by changing the delay time of semiconductor characteristic testing set.
采用平面选择注入隔离工艺制作 MESFET及旁栅电极 ,通过改变半导体特性测试仪的延迟时间参数 ,深入研究了不同沟道电流的数据采集时间对旁栅效应迟滞现象的影响 。
4)  channel potential
沟道电势
1.
Based on the physical analysis,the temperature dependences of channel potential,threshold voltage and subthreshold current for 6H-and 4H-SiC MESFET s are investigated.
基于器件物理分析的方法,结合沟道电势二维解析模型,分析比较了漏极引致势垒降低效应(DIBL effect)对6H-及4H-SiC MESFET沟道势垒,阈值电压,以及亚阈值电流的影响,并研究了其温度特性。
5)  Electrical field channel
电场沟道
6)  channel leakage
沟道漏电
补充资料:沟道
1.低凹如沟状的纹路或通道。 2.指碑上刻出的阴文线槽。
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参考词条