1) channel charge injection
沟道电荷注入
2) channel injection
沟道注入
3) charge injection
电荷注入
1.
With this energy model, and considering the influences of charge injection and field electron emis.
基于固体的能带理论 ,提出了 2类试品在金属电极 介质的界面处不同的能量状态分布模型 ;并在此基础上同时考虑电荷注入复合和场致电子发射对发光的影响 ,解释了 2类试品发光的差异性 ,指出了采用和未采用真空溅射金属电极的氧化铝陶瓷存在不同的沿面闪络起始机理及发展过程。
2.
The nonideal characteristics of switched capacitor(SC) integrators is analysed in detail, and a noninverting SC integrator that is insensitive to parasitic capacitors is presented, with shunt capacitors especially to reduce the harmonic distortion and noise caused by channel charge injection.
分析了开关电容积分器的非理想特性,同时设计了一个对寄生电容不敏感的同相开关电容(SC)积分器,并特别采用旁路电容减小沟道电荷注入引起的谐波失真和噪声。
3.
The circuit non-idealities of the modulator such as charge injection errors, conductance ratio error, settling error and kT/C noise were modeled behaviorally using SIMULINK based on the relationship between error and parameters of MOS FET.
通过计算晶体管模型参数与误差的关系对电路的非理想特性如:电荷注入误差、输入输出电导比误差、设置误差噪声误差等进行了SIMULINK行为建模。
4) back channel implantation
背栅沟道注入
1.
Partially-depleted silicon-on-insulator(PDSOI)floating-body(FB)nMOSFETs and H-gate type body-contacted(BC)nMOSFETs are fabricated with different back channel implantation dosages.
分别采用不同的背栅沟道注入剂量制成了部分耗尽绝缘体上硅浮体和H型栅体接触n型沟道器件。
5) Channeled ion-beam synthesis
沟道离子注入
6) implanted channel
离子注入沟道
补充资料：电荷注入检测器
分子式：
CAS号：
性质：一种光学多道检测器。和电荷耦合检测器一样，也是一种电荷转移器件。但它的灵敏度比电荷耦合检测器高一个数量级，更适合于弱光的检测，在紫外区仍有良好的量子效率。
CAS号：
性质：一种光学多道检测器。和电荷耦合检测器一样，也是一种电荷转移器件。但它的灵敏度比电荷耦合检测器高一个数量级，更适合于弱光的检测，在紫外区仍有良好的量子效率。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条