1) positron channeling
正电子沟道
2) channel hot electron
沟道热电子
3) electron channeling
电子沟道效应
4) Channel Hot-Electron Injection
沟道热电子效应
5) electron population ratio in channel
沟道电子布居率
6) channel current
沟道电流
1.
The influence of different data collection time of channel current on the side gating hysteresis effect is studied by changing the delay time of semiconductor characteristic testing set.
采用平面选择注入隔离工艺制作 MESFET及旁栅电极 ,通过改变半导体特性测试仪的延迟时间参数 ,深入研究了不同沟道电流的数据采集时间对旁栅效应迟滞现象的影响 。
补充资料：热电子（hotelectron）
热电子（hotelectron）
半导体中的电子可以吸收一定能量（如光子、外电场等）而被激发，处于激发态的电子称为热电子，处于激发态的电子可以向较低的能级跃迁，如果以光辐射的形式释放出能量，这就是半导体的发光现象。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条