1) GaN_xAs_(1-x) films
GaN_xAs_(1-x)薄膜
2) Ge-xC 1-x films
Ge_xC_(1-x)薄膜
3) C_xH_(1-x) films
C_xH_(1-x)薄膜
4) BP_xN_(1-x) thin films
BP_xN_(1-x)薄膜
5) Ba_(1-x)Ca_xMoO_4 thin films
Ba_(1-x)Ca_xMoO_4薄膜
6) GaAs1-xNx films
GaAs_(1-x)N_x薄膜
补充资料:gallium nitride GaN
分子式:
CAS号:
性质:白色或微黄色粉末。具有很高的化学稳定性,不溶于水,不与水和浓无机酸反应,稍与稀酸作用,缓慢与碱液反应,空气中加热800℃开始氧化,生成氧化镓。1050℃开始分解。可由气态生长细晶。在1050~1200℃由氧化镓和氨反应或由氯镓酸铵分解制取。为半导体材料和荧光粉。
CAS号:
性质:白色或微黄色粉末。具有很高的化学稳定性,不溶于水,不与水和浓无机酸反应,稍与稀酸作用,缓慢与碱液反应,空气中加热800℃开始氧化,生成氧化镓。1050℃开始分解。可由气态生长细晶。在1050~1200℃由氧化镓和氨反应或由氯镓酸铵分解制取。为半导体材料和荧光粉。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条