1) Si 1-x-y Ge x C y films
Si1-x-yGexCy薄膜
2) Si1-x-yGexCy alloy film
Si1-x-yGexCy合金薄膜
1.
Epitaxial growth of Ge graded Si1-x-yGexCy alloy film on Si(100) by chemical vapor deposition;
40的组分渐变的Si1-x-yGexCy合金薄膜, 研究了生长温度等工艺参数的影响。
3) Si_(1-x-y)Ge_xC_y alloy
Si1-x-yGexCy合金
1.
Present status of research in the physical characteristics of Si_(1-x-y)Ge_xC_y alloy is discussed.
文章对Si1-x-yGexCy合金材料物理特性的研究现状进行了概述,重点分析了替位式碳原子在Si1-xGex合金应变补偿和能带工程中的作用,并对其行为机理进行了分析和总结。
4) Si1-x-y Gex Cy alloys
Si1-x-yGexCy材料
5) Ge x /Si 1-x multilayer
Gex/Si1-x多层膜
6) Si1-yCy alloy films
Si1-yCy合金薄膜
1.
Si1-yCy alloy films,with the highest substitutional C fraction of 1.
22%的Si1-yCy合金薄膜,研究表明:处于替位式格点位置的C原子与Si原子成键,形成Si-C局域振动模;随着生长温度的降低,更多具有较低迁移率的C原子占据替位式格点,导致合金薄膜中的替位式C组分增加、间隙式缺陷减少,薄膜的晶体质量得到有效提高;相应地薄膜承受的张应力增大,外延层中Si(TO)声子模发生蓝移。
补充资料：Al-Si cast aluminium alloy
分子式：
CAS号：
性质：以硅为主要合金元素的铸造铝合金。硅的添加量范围为5％～25％，并添加镁、铜等元素，形成亚共晶型、共晶型或过共晶型合金。含硅量为5％～13％的亚共晶型或共晶型合金是工业生产中应用最广泛的铸造铝合金。良好的铸造工艺性能和气密性是它们的主要特点。含硅量在13％以上的过共晶型合金具有热膨胀系数小、耐磨性好等特点。
CAS号：
性质：以硅为主要合金元素的铸造铝合金。硅的添加量范围为5％～25％，并添加镁、铜等元素，形成亚共晶型、共晶型或过共晶型合金。含硅量为5％～13％的亚共晶型或共晶型合金是工业生产中应用最广泛的铸造铝合金。良好的铸造工艺性能和气密性是它们的主要特点。含硅量在13％以上的过共晶型合金具有热膨胀系数小、耐磨性好等特点。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条