1) Ga2O3/ITO/Ga2O3 films
Ga2O3/ITO/Ga2O3膜
1.
Ga2O3 films and Ga2O3/ITO/Ga2O3 films were prepared by alternate RF magnetron sputtering of Ga2O3target and DC magnetron sputtering of ITO(indium tin oxide)target.
用射频磁控溅射Ga2O3陶瓷靶材和直流磁控溅射ITO(锡铟氧化物)靶材分别制备了Ga2O3薄膜、Ga2O3/ITO/Ga2O3膜,用紫外-可见分光光度计、四探针测试仪对Ga2O3薄膜、Ga2O3/ITO/Ga2O3膜的光学透过率和电阻率进行了表征。
2) Ga_2O_3
Ga2O3
1.
GaN thin film have been fabricated by gas nitriding of Ga_2O_3 on the silicon substrate in the tube furnace.
采用Ga2O3与NH3在管式电炉中于高温常压下进行反应,并在硅基片上沉积GaN薄膜,研究了各种工艺参数如反应温度、NH3的流量、硅基片反应前后处理等因素对沉积GaN薄膜的影响,并通过SEM和AFM对生成物进行了分析。
2.
GaN powders were fabricated by gas nitriding of Ga_2O_3 in the tube furnace.
在管式电炉中,采用Ga2O3与NH3高温常压下反应生成了GaN粉体。
3) Ga2O3/Al films
Ga2O3/Al膜
1.
Ga2O3/Al films were deposited on the Si(111) substrates by magnetron sputtering and we got many kinds of GaN nanostructures by annealing the Ga2O3/Al films at different temperature.
采用磁控溅射的方法在Si(111)衬底上溅射沉积了Ga2O3/Al膜,并通过氨化的方法在Si(111)衬底上获得了GaN纳米结构材料,研究了不同的氨化温度对生成GaN纳米结构材料的影响。
4) Ga_2O_3
Ga2O3薄膜
1.
Gallium nitride thin films have been successfully grown on the Ga-diffused Si (111) substrates through nitriding Ga_2O_3 thin films deposited by rf magnetron sputtering and the growth condition was investigated.
采用射频磁控溅射工艺在扩镓硅基上溅射Ga2O3薄膜,再氮化反应组装GaN晶体膜,并对其生长条件进行了研究。
5) Ga2O3 thin films
Ga2O3薄膜
1.
Gallium nitride thin films have been successfully grown on the pre-deposition and re-distribution after Ga-predeposited of the Ga-diffused Si(111) substrates through nitriding Ga2O3 thin films deposited by r.
采用射频磁控溅射工艺在预沉积和预沉积后再分布的扩镓S i基上溅射Ga2O3薄膜氮化反应组装GaN薄膜。
6) ZnO/Ga2O3 films
ZnO/Ga2O3薄膜
1.
ZnO/Ga2O3 films were nitrided in tube furnace under flowing NH3 ambience.
利用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上先溅射ZnO中间层,接着溅射Ga2O3薄膜,然后ZnO/Ga2O3薄膜在管式炉中常压下通氨气进行氮化,高温下ZnO层在氨气的气氛中挥发,而Ga2O3薄膜和氨气反应合成出GaN纳米管。
补充资料：Ga
镓
元素中文名:镓 原子量：69.735 熔点：9.78c 原子序数：31
元素英文名: gallium 价电子：4p1 沸点：2403c 核外电子排布: 2,8,18,3
元素符号： ga 英文名： gallium 中文名： 镓
相对原子质量： 69.72 常见化合价： +3 电负性： 1.8
外围电子排布： 4s2 4p1 核外电子排布： 2,8,18,3
同位素及放射线： ga-66[9.5h] ga-67[3.3d] ga-68[1.1h] *ga-69 ga-71 ga-72[14.1h]
电子亲合和能： 48 kj·mol-1
第一电离能： 577.6 kj·mol-1 第二电离能： 1817 kj·mol-1 第三电离能： 2745 kj·mol-1
单质密度： 5.907 g/cm3 单质熔点： 29.78 ℃ 单质沸点： 2403.0 ℃
原子半径： 1.81 埃 离子半径： 0.62(+3) 埃 共价半径： 1.26 埃
常见化合物： gao ga2o ga2o3
发现人： 布瓦博德朗 时间： 1875 地点： 法国
名称由来：
拉丁文：gallia（法国）。
元素描述：
柔软的蓝白色金属。
元素来源：
见于地壳中的铝土岩、锗石和煤炭等矿产中。
元素用途：
用于半导体工业，制造led（发光二极管）和砷化镓激光二极管。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条