1) Ca2O3 ceramic target
Ga2O3陶瓷靶材
2) ceramic target
陶瓷靶材
1.
The effect of main parameters of HIP technique on the densification of ITO ceramic target was investigated.
实验研究了热等静压工艺参数──保温温度、保压压力和保温时间对 ＩＴＯ陶瓷靶材致密化的影响。
2.
Aluminum-doped zinc oxide (ZAO) ceramic targets for sputtering were fabricated by hot isostatic pressing (HIP) and ZAO transparent conducting thin films were prepared by dc magnetron sputtering.
用热等静压法烧结制备了高导电性ZAO(铝掺杂氧化锌)陶瓷靶材,并用直流磁控溅射法制备出ZAO透明导电薄膜。
4) magnetic ceramic target
磁性陶瓷靶材
5) zinc oxide ceramic target
氧化锌陶瓷靶材
6) ceramic target
陶瓷靶
1.
The experimental investigation on preparation of Li-doped ZnO ceramic targets and sputtering thin films;
ZnO掺杂Li~+陶瓷靶及溅射膜制备工艺研究
2.
Photocatalytic properties of titania thin films by radio frequency magnetron sputtering from ceramic target;
陶瓷靶射频磁控溅射TiO_2薄膜的制备和光催化特性(英文)
3.
An experimental study on anti-penetration process of confined AD95 ceramic targets to shaped charge jets;
约束陶瓷靶抗射流侵彻实验研究
补充资料：Ga
镓
元素中文名:镓 原子量：69.735 熔点：9.78c 原子序数：31
元素英文名: gallium 价电子：4p1 沸点：2403c 核外电子排布: 2,8,18,3
元素符号： ga 英文名： gallium 中文名： 镓
相对原子质量： 69.72 常见化合价： +3 电负性： 1.8
外围电子排布： 4s2 4p1 核外电子排布： 2,8,18,3
同位素及放射线： ga-66[9.5h] ga-67[3.3d] ga-68[1.1h] *ga-69 ga-71 ga-72[14.1h]
电子亲合和能： 48 kj·mol-1
第一电离能： 577.6 kj·mol-1 第二电离能： 1817 kj·mol-1 第三电离能： 2745 kj·mol-1
单质密度： 5.907 g/cm3 单质熔点： 29.78 ℃ 单质沸点： 2403.0 ℃
原子半径： 1.81 埃 离子半径： 0.62(+3) 埃 共价半径： 1.26 埃
常见化合物： gao ga2o ga2o3
发现人： 布瓦博德朗 时间： 1875 地点： 法国
名称由来：
拉丁文：gallia（法国）。
元素描述：
柔软的蓝白色金属。
元素来源：
见于地壳中的铝土岩、锗石和煤炭等矿产中。
元素用途：
用于半导体工业，制造led（发光二极管）和砷化镓激光二极管。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条