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1) nano Ga 2O 3 thin film
纳米Ga2O3薄膜
2) Ga_2O_3
Ga2O3薄膜
1.
Gallium nitride thin films have been successfully grown on the Ga-diffused Si (111) substrates through nitriding Ga_2O_3 thin films deposited by rf magnetron sputtering and the growth condition was investigated.
采用射频磁控溅射工艺在扩镓硅基上溅射Ga2O3薄膜,再氮化反应组装GaN晶体膜,并对其生长条件进行了研究。
3) Ga2O3 thin films
Ga2O3薄膜
1.
Gallium nitride thin films have been successfully grown on the pre-deposition and re-distribution after Ga-predeposited of the Ga-diffused Si(111) substrates through nitriding Ga2O3 thin films deposited by r.
采用射频磁控溅射工艺在预沉积和预沉积后再分布的扩镓S i基上溅射Ga2O3薄膜氮化反应组装GaN薄膜。
4) ZnO/Ga2O3 films
ZnO/Ga2O3薄膜
1.
ZnO/Ga2O3 films were nitrided in tube furnace under flowing NH3 ambience.
利用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上先溅射ZnO中间层,接着溅射Ga2O3薄膜,然后ZnO/Ga2O3薄膜在管式炉中常压下通氨气进行氮化,高温下ZnO层在氨气的气氛中挥发,而Ga2O3薄膜和氨气反应合成出GaN纳米管。
5) Ga2O3 thin film
Ga2O3薄膜
1.
GaN thin films were successfully grown on the Ga-diffused Si (111) substrates throughnitriding Ga2O3 thin films deposited by r.
采用射频磁控溅射在扩镓硅基上溅射Ga2O3薄膜,然后氮化反应组装GaN晶体膜,并研究氮化时间对薄膜晶体质量的影响。
2.
A high-quality gallium nitride nanowire were synthesized through ammoniating Ga2O3 thin films deposited by rf magnetron sputtering.
用氨化溅射Ga2O3薄膜的方法,成功地合成了一维GaN纳米线。
6) nano-films
纳米薄膜
1.
Properties of Co nano-films deposited on monocrystalline silicon surface by ion beam sputtering;
单晶Si表面离子束溅射沉积Co纳米薄膜的研究
2.
Study on surface morphology and microstructure of Al_2O_3 nano-films prepared by ion beam sputtering deposition
离子束沉积Al_2O_3纳米薄膜微观结构及形貌研究
3.
The characterization of thermoelectric properties of semiconductor nano-films on methods and relative theories are reviewed.
综述了半导体纳米薄膜热电性能表征的方法及相关的技术原理。
补充资料:看纺织印染中应用纳米材料和纳米技术
纺织印染中应用纳米材料和纳米技术时,除了要解决纳米材料的制备技术之外,重要的是要解决好纳米材料的应用技术,其中关键问题是使纳米粒子和纺织印染材料的基本成分(即聚合物材料)之间处于适当的结合状态。印染中,纳米粒子在聚合物基体中的分散和纳米粒子在聚合物表面的结合是主要的应用技术问题。 制备聚合物/无机纳米复合材料的直接分散法,适用于各种形态的纳米粒子。印染中纳米粒子的使用一般采用直接分散法。但是由于纳米粒子存在很大的界面自由能,粒子极易自发团聚,利用常规的共混方法不能消除无机纳米粒子与聚合物基体之间的高界面能差。因此,要将无机纳米粒子直接分散于有机基质中制备聚合物纳米复合材料,必须通过必要的化学预分散和物理机械分散打开纳米粒子团聚体,将其均匀分散到聚合物基体材料中并与基体材料有良好的亲和性。直接分散法可通过以下途径完成分散和复合过程: 高分子溶液(或乳液)共混:首先将聚合物基体溶解于适当的溶剂中制成溶液(或乳液),然后加入无机纳米粒子,利用超声波分散或其他方法将纳米粒子均匀分散在溶液(或乳液)中。有人将环氧树脂溶于丙酮后加入经偶联剂处理过的纳米TiO2,搅拌均匀,再加入 40wt%的聚酰胺后固化制得了环氧树脂/TiO2纳米复合材料。还有人将纳米SiO2粒子用硅烷偶联剂处理后,改性不饱和聚酯。 熔融共混:将纳米无机粒子与聚合物基体在密炼机、双螺杆等混炼机械上熔融共混。如将PMMA和纳米SiO2粒子熔融共混后,双螺杆造粒制得纳米复合材料。又如利用偶联剂超声作用下处理纳米载银无机抗菌剂粒子,分散制得PP/抗菌剂、PET/抗菌剂、PA/抗菌剂等复合树脂,然后经熔融纺丝工艺加工成抗菌纤维。研究表明,将经过表面处理的纳米抗菌剂粒子通过双螺杆挤出机熔融混炼,在聚合物中可以达到纳米尺度分散,获得了具有良好综合性能的纳米抗菌纤维,对大肠杆菌、金黄色葡萄球菌的抗菌率达到95%以上(美国AATCC-100标准)。 机械共混:将偶联剂稀释后与碳纳米管混合,再与超高分子量聚乙烯(UHMWPE)混合放入三头研磨机中研磨两小时以上。将研磨混合物放入模具,热压,制得功能型纳米复合材料。 聚合法:利用纳米SiO2粒子填充(Poly(HEMA))制备了纳米复合材料。纳米SiO2粒子首先被羟乙基甲基丙烯酸(HEMA)功能化,然后与HEMA单体在悬浮体系中聚合。还有利用SiO2胶体表面带酸性,加入碱性单体4-乙烯基吡咯进行自由基聚合制得包覆型纳米复合材料。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条
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