1) DF-CCP
SiCOH薄膜刻蚀
1.
12MHz/2MHz、60MHz/2MHz dual-frequency capacitively couple plasma (DF-CCP) of CHF3 and the etching of SiCOH film.
与传统SiO2介质的刻蚀相比较,由于SiCOH薄膜中存在孔隙,因此刻蚀率随着薄膜密度的降低而增加,从而导致薄膜粗糙度增加、侧向微枝结构的形成和刻蚀深度发生改变,结果难以实现SiCOH薄膜刻蚀过程的精确控制。
2) SiCOH films
SiCOH薄膜
1.
F-SiCOH films were prepared in electron cyclotron resonance chemical vapor deposition (ECR-CVD) system using DMCPS/CHF3 mixture.
根据薄膜结构和成分的傅立叶变换红外光谱仪(FTIR)、X射线光电子能谱(XPS)以及放电等离子体中基团分步的光强度标定的发射光谱(OES)分析可知:薄膜沉积速率的变化是由于CHF3进气量的增加导致薄膜生长从以沉积F-SiCOH薄膜为主过渡到以沉积氟化非晶碳(a-C:F:H)薄膜为主的结果。
2.
Carbon-doping oxide materials (SiCOH films) with k of 2.
62的SiCOH薄膜。
3.
Using decamethylcyclopentasioxane ([Si(CH 3) 2O] 5 as liquid pr ecursor, SiCOH films, which have low dielectric constant (low k), good insul ating ability and thermal stability, were prepared by electron cyclotron resonan ce chemical vapor deposition (ECR_CVD).
以十甲基环五硅氧烷为反应源、采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积 (ECR_CVD)方法制备了具有低介电常数 ,且电绝缘性能和热稳定性优良的SiCOH薄膜 。
3) porous SiCOH ultra-low-k film
多孔SiCOH薄膜
5) thin film etching process
薄膜刻蚀技术
6) Silicon grating foil
Si刻蚀膜
1.
Silicon grating foil used to analyze the image transfer function in XUV radiography system;
XUV成像系统中像传递函数研究用的Si刻蚀膜
补充资料：Sic
1、名称解释
碳化硅又称金钢砂或耐火砂。碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料在电阻炉内经高温冶炼而成。目前我国工业生产的碳化硅分为黑色碳化硅和绿色碳化硅两种，均为六方晶体，比重为3.20～3.25，显微硬度为2840～3320kg/mm2。
包括黑碳化硅和绿碳化硅，其中：黑碳化硅是以石英砂,石油焦和优质硅石为主要原料,通过电阻炉高温冶炼而成。其硬度介于刚玉和金刚石之间,机械强度高于刚玉,性脆而锋利。绿碳化硅是以石油焦和优质硅石为主要原料,添加食盐作为添加剂，通过电阻炉高温冶炼而成。其硬度介于刚玉和金刚石之间,机械强度高于刚玉。
2.性质
碳化硅的硬度很大，具有优良的导热和导电性能，高温时能抗氧化。
3.用途
(1)作为磨料，可用来做磨具，如砂轮、油石、磨头、砂瓦类等。
(2)作为冶金脱氧剂和耐高温材料。
碳化硅主要有四大应用领域,即: 功能陶瓷、高级耐火材料、磨料及冶金原料。目前碳化硅粗料已能大量供应, 不能算高新技术产品,而技术含量极高 的纳米级碳化硅粉体的应用短时间不可能形成规模经济。
(3)高纯度的单晶，可用于制造半导体、制造碳化硅纤维。
4.产地、输往国别及品质规格
(1)产地：青海、宁夏、河南、四川、贵州等地。
(2)输往国别：美国、日本、韩国、及某些欧洲国家。
(3)品质规格：
①磨料级碳化硅技术条件按gb/t2480—96。各牌号的化学成分由表6-6-47和表6-6-48给出。
②磨料粒度及其组成按gb/t2477—83。磨料粒度组成测定方法按gb/t2481—83。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条