1) GeSi quantum dot
锗硅量子点
1.
Such pit-patterned Si substrates facilitate the formation of ordered GeSi quantum dot by deposition of Ge using molecular beam epitaxy(MBE).
由此制作的坑形图案衬底上用分子束外延系统生长锗硅量子点,可以实现对锗硅量子点成核位置的控制。
2) Si/Ge quantum wells
锗硅量子阱
1.
The band-to-band absorption edges of Si/Ge quantum wells were characterized by photocurrent measurement.
利用光电流谱的方法对锗硅量子阱结构的带间吸收边进行了研究。
3) SiGe quantum wells
硅锗量子阱
4) GeSi quantum rings
锗硅量子环
5) SiGe multi quantum wells
硅锗多量子阱
6) stacked Ge quantum dots
多层锗量子点
补充资料：单量子阱(见量子阱)
单量子阱(见量子阱)
single quantum well
单且子阱sillgle quantum well见量子阱。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条