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1)  Si 1-xGe x
锗-硅
2)  Ge/Si
锗/硅
1.
Hole storage characteristics in Ge/Si hetero-nanocrystal-based memories;
锗/硅异质纳米结构中空穴存储特性研究
2.
p-Channel Ge/Si Hetero-Nanocrystal Based MOSFET Memoryand Its Logic Array;
p沟道锗/硅异质纳米结构MOSFET存储器及其逻辑阵列
3.
The charge storage characteristic of Ge/Si double-layer quantum-dots floating-gate nano-memory was investigated.
设计了一种新型的存储器结构单元———锗/硅双层量子点阵列浮栅结构纳米存储器。
3)  GeSi
锗硅
1.
GeSi quantum dots studied by grazing incidence small angle X-ray scattering;
锗硅量子点掠入射小角X射线散射研究
4)  SiGe
锗硅
1.
Electrical characteristics and selective growth of SiGe by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition;
超高真空CVD选择性外延锗硅及其电学特性
2.
Design and simulation of high Ge content PIN SiGe photo-detector;
高锗组分PIN锗硅光电探测器设计与模拟
3.
Research on Material Growth of Long Wavelength SiGe Photodectors;
长波长锗硅光电探测器的材料生长研究
5)  SiGe
硅锗
1.
Great interest has been devoted to one-dimensional SiGe nanoscale materials including SiGe nanowire heterostructures and nanotubes for the preparation of nanoscale devices owing to the excellent electrical and optical properties and the good compatibility with the present sillcon-based micro-electronics industry.
一维硅锗纳米复合材料,主要包括硅锗纳米线异质结与纳米管,具有优异的电学、光学等性能,易与现代以硅为基础的微电子工业相兼容,所以在纳米器件等领域得到了广泛重视。
6)  Silicon/germanium
硅/锗
补充资料:锗硅固溶体
锗硅固溶体
Ge Si solid solution

   由锗和硅两种元素形成的溶解度无限的替位固溶体。又称锗硅合金。分为无定形、结晶型和超晶格3种。无定形锗硅固溶体主要用作太阳电池,其转换效率已达14.4%(理论值为20%)。结晶形锗硅固溶体分为单晶和多晶,主要用作温差电材料、红外和核辐射探测器材料。用作温差电材料的锗硅固溶体是一种高温材料,热端温度可达1000~1100℃,具有效率高(可达10%)、强度大、热稳定性好、抗辐射、重量轻等优点,常用于航天系统的温差发电器。超晶格是一种新型材料。它是由两种不同半导体薄层交替排列组成的周期列阵,通过在晶体衬底上一层叠一层地生长出两种不同半导体材料薄膜获得。可用作半导体光电子材料,如制作弹道晶体管和高电子迁移率晶体管、光电导探测器、集成光电子器件等。
   
   

用锗硅固溶体制作的半导体光电子元器件

用锗硅固溶体制作的半导体光电子元器件

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参考词条