1) porous silicon quantum dot
多孔硅量子点
1.
Localized electron state on porous silicon quantum dots
多孔硅量子点中的电子局域态
2) silicon quantum dot
硅量子点
1.
Using the LPCVD method with SiH_4 gas, we have accumulated the half-sphere silicon quantum dots in self-assembled and nano-sized on a silica glass substrate.
用减压气相淀积法(LPCVD),在二氧化硅以及石英基板上自组织形成了高密度的(10~(11)cm~(-2))纳米尺寸的半球状硅单晶粒(硅量子点),并进一步利用自组织生成的硅量子形成具有悬浮栅极的MOS单元,验证了硅量子点的量子效应。
2.
Using the low pressure CVD method with SiH 4 gas, we have accumulated the silicon quantum dots in self assembled and nano sized on a silica glass substrate.
用 Si H4 气体的减压 CVD法 ,在氧化硅以及石英基板上自然形成了高密度的 (～ 10 11cm-2 )纳米尺寸的半球状硅晶粒 (硅量子点 ) ,并且对其光学吸收和发光 (Photo- luminescence,PL)特性进行了评价。
3) GeSi quantum dot
锗硅量子点
1.
Such pit-patterned Si substrates facilitate the formation of ordered GeSi quantum dot by deposition of Ge using molecular beam epitaxy(MBE).
由此制作的坑形图案衬底上用分子束外延系统生长锗硅量子点,可以实现对锗硅量子点成核位置的控制。
4) multi layered quantum dots
多量子点
1.
Because of the coupling between the multi layered quantum dots, the devices made of these quantum dots exhibit much more complicated phenomenon than the devices containing single layer quantum dots.
因为多量子点之间存在耦合作用 ,造成器件中的很多亚稳态 。
6) Si-based quantum dot devices
硅基量子点器件
补充资料：单量子阱(见量子阱)
单量子阱(见量子阱)
single quantum well
单且子阱sillgle quantum well见量子阱。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条