1) Si-based SiC quantum dots
硅基碳化硅量子点
2) Si-based quantum dot devices
硅基量子点器件
3) silicon quantum dot
硅量子点
1.
Using the LPCVD method with SiH_4 gas, we have accumulated the half-sphere silicon quantum dots in self-assembled and nano-sized on a silica glass substrate.
用减压气相淀积法(LPCVD),在二氧化硅以及石英基板上自组织形成了高密度的(10~(11)cm~(-2))纳米尺寸的半球状硅单晶粒(硅量子点),并进一步利用自组织生成的硅量子形成具有悬浮栅极的MOS单元,验证了硅量子点的量子效应。
2.
Using the low pressure CVD method with SiH 4 gas, we have accumulated the silicon quantum dots in self assembled and nano sized on a silica glass substrate.
用 Si H4 气体的减压 CVD法 ,在氧化硅以及石英基板上自然形成了高密度的 (～ 10 11cm-2 )纳米尺寸的半球状硅晶粒 (硅量子点 ) ,并且对其光学吸收和发光 (Photo- luminescence,PL)特性进行了评价。
4) Si/SiC
硅/碳化硅
1.
Study on evolution of microstructure and phases in Si/SiC composites during high temperature heat treatment;
硅/碳化硅高温热处理中组织及相组分变化
2.
Transformation of Microstructure and Phase in Si/SiC Materials during High Temperature Heat Treatment;
硅/碳化硅在高温热处理过程中的组织变化
5) GeSi quantum dot
锗硅量子点
1.
Such pit-patterned Si substrates facilitate the formation of ordered GeSi quantum dot by deposition of Ge using molecular beam epitaxy(MBE).
由此制作的坑形图案衬底上用分子束外延系统生长锗硅量子点,可以实现对锗硅量子点成核位置的控制。
补充资料：人造碳化硅磨料
CAS：409-21-2
分子式：CSi
分子质量：40.10
中文名称：碳化硅；碳化硅,金刚砂；人造碳化硅磨料
英文名称：Silicon carbide；annanox ck；betarundum；betarundum st-s；betarundum uf；betarundum ultrafine；carbofrax m
分子式：CSi
分子质量：40.10
中文名称：碳化硅；碳化硅,金刚砂；人造碳化硅磨料
英文名称：Silicon carbide；annanox ck；betarundum；betarundum st-s；betarundum uf；betarundum ultrafine；carbofrax m
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条