1) photolithography limitation
光刻极限
2) photoetched grid
光刻栅极
3) EUVL
极紫外光刻
1.
Extreme ultraviolet lithography(EUVL) is one of all candidate next-generation lithography technologies targeting 45 nm features,the industrial throughput should be more than 80 wafers-per-hour.
极紫外光刻(EUVL)技术是实现45 nm特征尺寸的候选技术之一,产业化设备要求300 mm硅片的产率大于每小时80片(80 wafer/h),此时入射到掩模版上的极紫外光功率密度很高,掩模版上的吸收层和Mo/Si多层膜将分别吸收100%和35%的入射光能量,从而导致其热变形,引起光刻性能下降,因此必须分析和控制掩模热变形。
2.
The status of extreme ultraviolet lithography (EUVL),as the technology for nextgeneration lithography (NGL), in a rapidly developing stage is analyzed.
分析了极紫外光刻技术作为下一代光刻技术的首选技术目前飞速发展阶段的状况,表明欧、美、日、俄等国家和地区在该领域集中了大量的人力、物力的目标是将光刻精度提高到50nm。
3.
The typical NGL technologies, like immersion ArF lithography, extreme ultraviolet lithography (EUVL) and electron beam Projection lithography (EPL), are compared.
通过比较几种具有较大潜力的NGL(浸没式ArF光刻机、极紫外光刻和电子束曝光 )的特点、开发现状和有待解决的关键技术 ,预言将来可能是以极紫外光刻、电子束曝光和某种常规光刻机结合的方式来实现工业、前沿科学技术需要的各种微米 /纳米级图形的制备。
4) ultimate light distance
光程极限
5) extreme ultra violet lithography
极紫外光刻机
1.
Vacuum stage is a key subsystem of extreme ultra violet lithography (EUVL) and its accuracy, velocity, acceleration, dynamic characters and synchronous scanning are decisive factors for image quality and throughput of the whole machine.
作为极紫外光刻机的一个关键子系统,真空工件台的精度、速度、加速度、动态特性及同步性能对于光刻图形精度和光刻机的产率都起着重要作用。
6) EUVL
极紫外投影光刻
1.
To study the two-mirror reduced projection optics for Extreme Ultraviolet Lithography (EUVL), Schwarzschild design form and flat field design form were investigated.
极紫外投影光刻(EUVL)两镜微缩投影物镜通常采用Schwarzschild结构和平场结构。
2.
Some problems were brought from the short wavelength of EUVL.
针对极紫外投影光刻 ( Extreme Ultraviolet Lithography,简称 EUVL)工作波长短的特点及由此带来的一些问题 ,对 EUVL微缩投影物镜的结构参数进行分析选择 ,设计了离轴照明方式的 Schwarzschild微缩投影成像物镜。
3.
A laser-produced plasma(LPP) source with liquid aerosol spray target and nanosecond laser was developed,based on both soft X-ray radiation metrology and extreme ultraviolet projection lithography(EUVL).
基于软X射线辐射计量和极紫外投影光刻(EUVL)应用,研制了一台使用纳秒激光器的液体微滴喷射靶激光等离子体(LPP)极紫外光源。
补充资料：功率场效应晶体管栅极驱动电路
使功率场效应晶体管按信号的要求导通或截止的电路。用于控制电力电子电路中的功率场效应晶体管的通断。功率场效应晶体管是电压控制器件，只要栅极驱动电路提供合适的栅极电压，即能保证元件的可靠通断。因栅极驱动电流较小，所以驱动电路比较简单。在工作频率较低的应用场合，常用集成逻辑电路或集成模拟电路等直接驱动功率场效应晶体管。图1是用集成与非门直接驱动功率场效应晶体管的电路。当与非门输出高电平时，功率场效应晶体管导通；当与非门输出低电平时，功率场效应晶体管关断。
功率场效应晶体管能作为高速开关器件，但必须使用与其相适应的高速驱动电路。在高频应用时，要求驱动电路的输出电阻较小，以提高栅极输入电容的充放电速度；另一方面，要求驱动电路的驱动功率较大。在用同一个控制电路驱动不同电位的功率场效应晶体管的情况下，需将控制电路和功率场效应晶体管之间用光耦合器或脉冲变压器隔离。图2是光耦合器隔离的栅极驱动电路。它采用互补晶体管输出。输出阻抗小，驱动功率大。
功率场效应晶体管能作为高速开关器件，但必须使用与其相适应的高速驱动电路。在高频应用时，要求驱动电路的输出电阻较小，以提高栅极输入电容的充放电速度；另一方面，要求驱动电路的驱动功率较大。在用同一个控制电路驱动不同电位的功率场效应晶体管的情况下，需将控制电路和功率场效应晶体管之间用光耦合器或脉冲变压器隔离。图2是光耦合器隔离的栅极驱动电路。它采用互补晶体管输出。输出阻抗小，驱动功率大。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条