1) crystal barrier
晶体势垒
2) barrier transistor
体势垒晶体管
3) bonded-barrier transistor
键合势垒晶体管
4) SBT (surface barrier transistor)
表面势垒晶体管
5) surface-barrier transistor
表面势垒晶体管，表面势垒层晶体管
6) grain boundary barrier
晶界势垒
1.
Study on the UV photo-sensitive characteristic and grain boundary barrier of ZnO thin films
ZnO薄膜紫外光敏特性及晶界势垒的研究
2.
The low B-value of the grains and insignificant grain boundary barrier give a good linear resistance-temperature characteristic of the composite within a temperature range of -20￣250℃.
由于复合材料的晶粒具有极小的Ｂ值而晶界势垒也极小，使得该复合材料的电阻－温度特性呈现出良好的线性特征。
3.
A new interpretation for the origin the grain boundary barrier is oxide semiconductorceramics is proposed,It is suggested by the authors that the barrier originates from the dif-fusion of excess oxygen in grain boundaries during sintering.
提出了一个关于氧化物半导瓷晶界势垒起源的新观点，认为晶界势垒起源于烧结过程中外界氧在晶界中的扩散，与材料的结构、化学缺陷、掺杂、外界气氛、烧结工艺、组成状态等有密切关系，并用此理论解释了许多实验现象。
补充资料：晶体管-晶体管逻辑电路
| 晶体管-晶体管逻辑电路 transistor-transistor logic 集成电路输入级和输出级全采用晶体管组成的单元门电路。简称TTL电路。它是将二极管-晶体管逻辑电路（DTL）中的二极管，改为使用多发射极晶体管而构成。TTL电路于1962年研制成功，基本门电路的结构和元件参数，经历了3次大的改进。同DTL电路相比，TTL电路速度显著提高，功耗大为降低。仅第一代TTL电路产品，就使开关速度比DTL电路提高5～10倍。采用肖特基二极管的第三代TTL电路，开关时间可缩短到3～5纳秒。绝大部分双极型集成电路，都是TTL电路产品。 |
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参考词条