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1)  SBTT
肖特基势垒隧穿晶体管
1.
The characterizations of n type Schottky Barrier Tunneling Transistor (SBTT) were simulated using a Monte Carlo Device Simulator.
利用自主开发的蒙特卡罗器件模拟软件 ,对 n沟肖特基势垒隧穿晶体管 (SBTT)的输出特性和转移特性进行了模拟 ,详细分析了沟道区掺杂浓度 ,源漏硅化物区深度以及栅氧化层厚度对 SBTT特性的影响。
2)  MESFET
金属肖特基势垒场效应晶体管
1.
Intrinsic parameters are extracted from functions of MESFETs intrinsic elements by using extrinsic parameters as independent variables.
采用非本征元件的参数作为本征元件参数函数的自变量的方法 ,求解金属肖特基势垒场效应晶体管小信号等效电路模型 ,并采用相对误差来构建目标函数 。
3)  dual gate MESFET
双栅金属-肖特基势垒场效应晶体管
4)  sfet
肖特基势垒栅场效应晶体管
例句>>
5)  esbt
增强型肖特基势垒场效应晶体管
例句>>
6)  Schottky barrier
肖特基势垒
1.
Study on Au Metal/n-type Semiconductor GaN Schottky Barrier;
金属/n型半导体(Au/n-Ga N)肖特基势垒的研究(英文)
2.
When the Schottky barrier height(Eb)is higher than 0.
当TiO2/TCO的肖特基势垒(Eb)大于0。
3.
Based on the characteristics of the electronic state in ZnO varistors, Schottky barrier at interface influenced the conductance properties and the dielectric properties.
基于ZnO压敏电阻器的电子态特征 ,界面肖特基势垒不仅对其导电性能 ,而且对其介电性能也有决定性的影响 。
更多例句>>
补充资料：肖特基势垒（Schottkybarrier）
肖特基势垒（Schottkybarrier）

金属和半导体接触形成半导体表面势垒，此势垒又称肖特基势垒。

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