1) MESFET
金属肖特基势垒场效应晶体管
1.
Intrinsic parameters are extracted from functions of MESFETs intrinsic elements by using extrinsic parameters as independent variables.
采用非本征元件的参数作为本征元件参数函数的自变量的方法 ,求解金属肖特基势垒场效应晶体管小信号等效电路模型 ,并采用相对误差来构建目标函数 。
2) dual gate MESFET
双栅金属-肖特基势垒场效应晶体管
3) MESFET(metal-semiconductor field-effect transistor)
金属消特基势垒场效应晶体管
补充资料：肖特基势垒（Schottkybarrier）
肖特基势垒（Schottkybarrier）
金属和半导体接触形成半导体表面势垒，此势垒又称肖特基势垒。
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参考词条