1) pyroelectric sputtered thin film detecror
溅射热电薄膜探测器
2) thin-film pyroelectric detector
薄膜热电探测器
3) pyroelectric thin film IR detector
热释电薄膜红外探测器
1.
Multilayer film that consists of porous silica layer integrated with silica buffer layer is used as thermal insulating structure for uncooled pyroelectric thin film IR detector.
采用由多孔 Si O2 薄膜和过渡 Si O2 薄膜组成的复合薄膜结构实现了非制冷热释电薄膜红外探测器的热绝缘 。
4) pryoelectric film-liquid crystal detector
热电薄膜-液晶探测器
5) sputtering thin films
溅射薄膜
1.
In this paper, the chlorobenzene treatment was adopted in lift-off process of Al and Au sputtering thin films with thickness of 0.
0UM的AL、AU溅射薄膜进行了剥离,分析了光刻胶厚度和薄膜厚度与剥离图形的关系,对剥离过程中氯苯浸泡工艺以及溅射工艺对剥离图形的影响进行了研究,并在2。
6) thin film sputtering
薄膜溅射
补充资料：热释电型探测器
利用热释电材料的自发极化强度随温度而变化的效应制成的一种热敏型红外探测器。热释电材料是一种具有自发极化的电介质,它的自发极化强度随温度变化,可用热释电系数p来描述,p=dP/dT（P为极化强度，T为温度）。在恒定温度下，材料的自发极化被体内的电荷和表面吸附电荷所中和。如果把热释电材料做成表面垂直于极化方向的平行薄片，当红外辐射入射到薄片表面时，薄片因吸收辐射而发生温度变化，引起极化强度的变化。而中和电荷由于材料的电阻率高跟不上这一变化，其结果是薄片的两表面之间出现瞬态电压。若有外电阻跨接在两表面之间，电荷就通过外电路释放出来。电流的大小除与热释电系数成正比外，还与薄片的温度变化率成正比，可用来测量入射辐射的强弱。1938年就有人建议利用热释电效应制造红外探测器,直到1962年,J.库珀才对此效应作了详细分析，并制成红外探测器。热释电型红外探测器都是用硫酸三甘酞(TGS)和钽酸锂 (LiTaO3)等优质热释电材料(p的数量级为10-8C/K.cm2)的小薄片作为响应元，加上支架、管壳和窗口等构成。它在室温工作时，对波长没有选择性。但它与其他热敏型红外探测器的根本区别在于，后者利用响应元的温度升高值来测量红外辐射，响应时间取决于新的平衡温度的建立过程，时间比较长，不能测量快速变化的辐射信号。而热释电型探测器所利用的是温度变化率，因而能探测快速变化的辐射信号。这种探测器在室温工作时的探测率可达 D≈1～2×109厘米·赫/瓦。70年代中期以来,这种探测器在实验室的光谱测量中逐步取代温差电型探测器和气动型探测器。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条