1) thin film infrared detector
薄膜红外探测器
2) pyroelectric thin film IR detector
热释电薄膜红外探测器
1.
Multilayer film that consists of porous silica layer integrated with silica buffer layer is used as thermal insulating structure for uncooled pyroelectric thin film IR detector.
采用由多孔 Si O2 薄膜和过渡 Si O2 薄膜组成的复合薄膜结构实现了非制冷热释电薄膜红外探测器的热绝缘 。
3) LiTaO3 film Infrared detector
LiTaO3薄膜红外探测器
4) pyroelectric thin film infrared detector arrays
热释电薄膜红外探测器阵列
1.
Micropatterning of ferroelectric thin films and Pt as well Au electrodes are carried out by chemical etchingprocess and lift-off process, respectively 64-element pyroelectric thin film infrared detector arrays were successfullyprepared.
采用传统光刻工艺的化学腐蚀和剥离方法,分别实现了钛酸铅铁电薄膜、铂和金电极的微图形化,成功地制备了单元面积为80μm×80μm的64元热释电薄膜红外探测器阵列,其性能接近红外成像应用的实用化水平。
6) Infrared detector
红外探测器
1.
How to define noise and associated performance parameters for infrared detector and infrared focal plane array detectors;
关于红外探测器与红外焦平面阵列探测器性能参数描述方法的商榷
2.
Monolithic integration of HIP infrared detector with MOS readout switch;
HIP红外探测器与MOS读出开关的单片集成
3.
Analysis of temperature of special-gas infrared detector;
特气红外探测器的温度分析
补充资料：热释电型探测器
利用热释电材料的自发极化强度随温度而变化的效应制成的一种热敏型红外探测器。热释电材料是一种具有自发极化的电介质,它的自发极化强度随温度变化,可用热释电系数p来描述,p=dP/dT（P为极化强度，T为温度）。在恒定温度下，材料的自发极化被体内的电荷和表面吸附电荷所中和。如果把热释电材料做成表面垂直于极化方向的平行薄片，当红外辐射入射到薄片表面时，薄片因吸收辐射而发生温度变化，引起极化强度的变化。而中和电荷由于材料的电阻率高跟不上这一变化，其结果是薄片的两表面之间出现瞬态电压。若有外电阻跨接在两表面之间，电荷就通过外电路释放出来。电流的大小除与热释电系数成正比外，还与薄片的温度变化率成正比，可用来测量入射辐射的强弱。1938年就有人建议利用热释电效应制造红外探测器,直到1962年,J.库珀才对此效应作了详细分析，并制成红外探测器。热释电型红外探测器都是用硫酸三甘酞(TGS)和钽酸锂 (LiTaO3)等优质热释电材料(p的数量级为10-8C/K.cm2)的小薄片作为响应元，加上支架、管壳和窗口等构成。它在室温工作时，对波长没有选择性。但它与其他热敏型红外探测器的根本区别在于，后者利用响应元的温度升高值来测量红外辐射，响应时间取决于新的平衡温度的建立过程，时间比较长，不能测量快速变化的辐射信号。而热释电型探测器所利用的是温度变化率，因而能探测快速变化的辐射信号。这种探测器在室温工作时的探测率可达 D≈1～2×109厘米·赫/瓦。70年代中期以来,这种探测器在实验室的光谱测量中逐步取代温差电型探测器和气动型探测器。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条