1) reactive ion etching system/RIE system
反应性离子蚀刻系统/RIE 系统
2) reactive ion beam etching system/RIBE system
反应性离子束蚀刻系统
3) hexode type reactive ion etching system
六角柱型反应性离子蚀刻系统
4) triode reactive ion etching system
三极型反应性离子蚀刻系统
5) magnetron enhanced reactive ion etaching system
磁控管增强型反应性离子蚀刻系统
6) narrow gap reactive ion etching system
狭窄间隙反应性离子蚀刻系统
补充资料：离子束刻蚀（ion-beametching）
离子束刻蚀（ion-beametching）
离子束刻蚀，也称为离子铣，它的主要原理是当定向高能离子向固体靶撞击时，能量从入射离子转移到固体表面原子上，如果固体表面原子间结合能低于入射离子能量时，固体表面原子就会被移开或从表面上被除掉。通常离子束刻蚀所用的离子来自惰性气体。为了保证刻蚀的均匀性，离子束密度必须均匀并且应具有相同能量。此外，系统内的压力必须足够低，以防止离子束被散射。离子束刻蚀的机构决定了这种刻蚀有好的各向异性，又因为粒子尺寸是离子或原子量级的，因而这种刻蚀也具有较高的分辨率。这种技术的主要限制是刻蚀过程引起温升，这将使光刻胶很难除掉。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条