1) inductively coupled plasma etching system
感应耦合型等离子体蚀刻系统
3) inductively coupled plasma(ICP) etching
感应耦合等离子体(ICP)刻蚀
1.
Red GaInP/AlGaInP microsquare lasers with output waveguide are fabricated by standard photolithography and inductively coupled plasma(ICP) etching techniques.
利用普通光刻和感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术制作了红光GaInP/AlGaInP正方形微腔激光器,光功率电流曲线表明,器件实现了200 K的低温激射。
4) inductively coupled plasma reactive ion etching
电感耦合反应离子刻蚀
5) inductively coupled plasma etcher(ICPE)
电感耦合等离子体蚀刻器
6) inductive coupled plasma(ICP) etching
电感耦合等离子体(ICP)刻蚀
1.
Using specially designed InGaAsP/InP multiple quantum well(MQW) structure,the damage effects of Cl2/H2 inductive coupled plasma(ICP) etching were investigated systematically,and the key processing parameters for low damage ICP etching have been optimized.
采用特别设计的InGaAsP/InP多量子阱结构(MQW),研究了Cl2/H2电感耦合等离子体(ICP)刻蚀损伤,优化了低损伤ICP刻蚀的关键工艺参数,得到了一种低损伤、形貌良好的Bragg光栅的制作方法。
补充资料：感应耦合
感应耦合
inductive coupling
单位长度的平行导线间的电容值，对距离很近的导线可取c，=一opF/m。 图(b)为两条平行导线间磁场祸合的情况，11为干扰源电流有效值，频率为f，通过两导线间的互感M在另一导线的负荷RL:上产生电压UZ，R02为电源内阻，通常RoZ《R12，可用下式计算，即 UZ尧I，口M(2) 。一2二f，M可根据公式计算:M一M、l，M飞为单位长度的平行导线间的互感值，对距离很近的导线可取Ml=1拜H/m。 式(1)中的C、式(2)中的M都随两导线间距离的增加而减小，故加大干扰源与敏感设备的距离，也是减小感应祸合的方法之一。gonylng ouhe感应报合(induetive eoupling)近场辐射藕合的藕合方式，在工业技术中通常的术语是感应祸合。近场辐射辆合只用于说明基本的物理概念(见辐射藕合)。感应报合分为电场祸合(容性报合)和磁场报合(感性藕合)两种。 电场报合和磁场藕合的分析计算通常可用带有集中参数的电容或互感的等效电路.下图为两条导线之间的藕合及其等效电路.图(a)为两条平行导线间电场报合的情况，Ul为干扰源电压有效值，频率为f，通电越目卜· 电场辆合和磁场祸合及等效电路 (a)电场祸合;(b)磁场拐合过两导线间的电容C在另一回路的负荷电阻RLZ上产生干扰电压U:，RoZ为该回路电源内阻，通常RoZ《RL:。因电源电势不影响干扰电压，在图上未表示出。UZ可用下式估算，即 _R，，R。，_。__ U，勺U，口C二二业牛架一勺Uo CR。，(l) 一‘一‘一RLZ+RoZ一’一‘、U‘ 。~2二f，C可根据导线长度l计算:C一‘，l，‘，为
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参考词条