1) indium arsenic phosphide single crystal
磷砷化铟单晶
2) indium gallium arsenic phosphide single crystal
磷砷化镓铟单晶
4) indium gallium arsenide single crystal
砷化镓铟单晶
5) indium antimonide arsenide single crystal
砷锑化铟单晶
6) indium gallium phosphide single crystal
磷化镓铟单晶
补充资料：磷砷化铟单晶
分子式：InAsxP1-x 0≤x≤1
CAS号：
性质：周期表Ⅲ，V族元素化合物半导体。共价键结合，有一定离子键成分。立方晶系闪锌矿型结构，为直接带隙半导体。禁带宽度随x值变化在1.34～0.356eV范围。电子迁移率0.4～0.75m2/(V·s)。采用区域熔炼，直拉法制备单晶。为制作近红外发光和激光器件材料和冷阴极电子发射材料。
CAS号：
性质：周期表Ⅲ，V族元素化合物半导体。共价键结合，有一定离子键成分。立方晶系闪锌矿型结构，为直接带隙半导体。禁带宽度随x值变化在1.34～0.356eV范围。电子迁移率0.4～0.75m2/(V·s)。采用区域熔炼，直拉法制备单晶。为制作近红外发光和激光器件材料和冷阴极电子发射材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条