1) barrier potential
势垒电位
2) potential barrier
势垒，位垒
3) collector barrier
集电极势垒，集电极位垒
4) collector barrier
集电极势垒;集电极位垒
5) junction capacitance
势垒电容
1.
When SiGe HBT is in the case of normal operation, depleted approximation is not suited, and the influence of movable charge should be taken into account when considering of their junction capacitance.
在考虑SiGeHBT的势垒电容时 ,通常的耗尽层近似不再适用 ,应考虑可动载流子的影响 。
2.
Thus differential capacitance should be adopted when considering their junction capacitance.
当SiGeHBT处于交流放大状态时,发射结空间电荷区和集电结空间电荷区存在可动电荷,因此,在考虑它们的势垒电容时,应采用微分电容。
6) barrier voltage
势垒电压
1.
The values of the barrier voltage were determined by the interception of the I V plot.
依照缺陷势垒模型 ,将压敏电阻器视为双向导通的二极管 ,应用半导体理论对低电压情况下的电流 -电压关系数据进行了处理 ,得到了 Sn O2 - Zn O- Nb2 O5压敏材料的势垒电压。
补充资料：势垒
势垒
Potential barrier
势垒(potential barrier) 包括了势能极大的一个区域.它阻挡粒子从其一边跑到另一边。按照经典物理学，为克服势垒.粒子必须具有超过势垒高度的能量。然而，量子力学表明.能量低于势垒高度的粒子也有一定概率穿透它。当粒子能量减少时.这一概率迅速减少这种势垒的例子有电子围绕原子的负场、排斥带止电粒子的原子核内的正电荷、由固定电荷分布产生的对固态装置中出现的电子或空穴的势垒。 在原子核情形下.如果轰击粒子带正电荷十z，内它将受到库仑静电排斥·这相当厂一个随1/r变化的势能，其中r是至核中心的距离，z，是轰击粒子的原子序数，而尸是质子电荷。到原子核边缘以前.这个势垒(高度)不断增加，之后被核引力克服。这个库仑势垒的最高点在原子核表面，表达式是22，·。，/R，其中R是原子核半径，Z是核电荷数。对于质子，氖的势垒大约是4兆电子伏.而铀的势垒是17兆电子伏。在固体情况下，在半导体和金属的内界面间或不同类参杂(受主或施主)半导体区域之间，势垒上升。固体中这种势垒的存在会引起金属半导体接触时整流效应和半导体的晶体放大效应。势垒高度以电子伏而不是兆电子伏来度量，典型的是原子散射·I参阅.‘原子核结构”(nuclear“ructure)、一半导体”(semieonduetor)条. 〔斯特拉顿(R.Stratton)撰〕
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条