1) electrostatic potential barrier
静电势垒
2) junction capacitance
势垒电容
1.
When SiGe HBT is in the case of normal operation, depleted approximation is not suited, and the influence of movable charge should be taken into account when considering of their junction capacitance.
在考虑SiGeHBT的势垒电容时 ,通常的耗尽层近似不再适用 ,应考虑可动载流子的影响 。
2.
Thus differential capacitance should be adopted when considering their junction capacitance.
当SiGeHBT处于交流放大状态时,发射结空间电荷区和集电结空间电荷区存在可动电荷,因此,在考虑它们的势垒电容时,应采用微分电容。
3) barrier voltage
势垒电压
1.
The values of the barrier voltage were determined by the interception of the I V plot.
依照缺陷势垒模型 ,将压敏电阻器视为双向导通的二极管 ,应用半导体理论对低电压情况下的电流 -电压关系数据进行了处理 ,得到了 Sn O2 - Zn O- Nb2 O5压敏材料的势垒电压。
4) barrier potential
势垒电位
5) over the barrier ionization
过势垒电离
1.
By considering two different ionization mechanisms: the tunneling ionization regime and the over the barrier ionization regime, it is found that the ionization behaviors are quite similar, while the high harmonic generation behaviors are very different.
通过讨论两种不同的电离机制 :隧穿电离机制和过势垒电离机制 ,发现电离变化的规律很相似 ,但高次谐波谱的变化规律却很不同。
6) contact (potential) barrier
[电]接触势垒
补充资料：静电势
分子式：
CAS号：
性质： 将正电荷从无限远处移到分子周围空间某点所做的功。通常定义为：VA(k)=∫ DA(r1-Ra)/∣r1-rk∣dτ1，其中DA(r1-Ra)为体系A包括核电荷的一级电荷密度函数。在量子化学自洽场计算中，，这两项分别相当于核电荷和电子对静电势的贡献。静电势的计算比较复杂，对于特大分子，已经发展了一种电极矩展开近似法。静电势常用于生物分子、药物分子和其他大分子间相互作用的研究。
CAS号：
性质： 将正电荷从无限远处移到分子周围空间某点所做的功。通常定义为：VA(k)=∫ DA(r1-Ra)/∣r1-rk∣dτ1，其中DA(r1-Ra)为体系A包括核电荷的一级电荷密度函数。在量子化学自洽场计算中，，这两项分别相当于核电荷和电子对静电势的贡献。静电势的计算比较复杂，对于特大分子，已经发展了一种电极矩展开近似法。静电势常用于生物分子、药物分子和其他大分子间相互作用的研究。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条