1) over the barrier ionization
过势垒电离
1.
By considering two different ionization mechanisms: the tunneling ionization regime and the over the barrier ionization regime, it is found that the ionization behaviors are quite similar, while the high harmonic generation behaviors are very different.
通过讨论两种不同的电离机制 :隧穿电离机制和过势垒电离机制 ,发现电离变化的规律很相似 ,但高次谐波谱的变化规律却很不同。
2) isolation barrier
隔离势垒
3) centrifugal barrier
离心势垒
4) junction capacitance
势垒电容
1.
When SiGe HBT is in the case of normal operation, depleted approximation is not suited, and the influence of movable charge should be taken into account when considering of their junction capacitance.
在考虑SiGeHBT的势垒电容时 ,通常的耗尽层近似不再适用 ,应考虑可动载流子的影响 。
2.
Thus differential capacitance should be adopted when considering their junction capacitance.
当SiGeHBT处于交流放大状态时,发射结空间电荷区和集电结空间电荷区存在可动电荷,因此,在考虑它们的势垒电容时,应采用微分电容。
5) barrier voltage
势垒电压
1.
The values of the barrier voltage were determined by the interception of the I V plot.
依照缺陷势垒模型 ,将压敏电阻器视为双向导通的二极管 ,应用半导体理论对低电压情况下的电流 -电压关系数据进行了处理 ,得到了 Sn O2 - Zn O- Nb2 O5压敏材料的势垒电压。
6) barrier potential
势垒电位
补充资料：pn结势垒（barrierofp-njunction）
pn结势垒（barrierofp-njunction）
pn结的空间电荷区中，存在由n边指向p边的自建电场。因此，自然形成n区高于p区的电势差Vd。相应的电子势能之差即能带的弯曲量qVd称为pn结的势垒高度。pn结的p区和n区的多数载流子运动时必须越过势垒才能到达对方区域，载流子的能量低于势垒高度，就被势垒阻挡而不能前进，这个垫垒叫做pn结势垒。pn结的势垒高度与两边半导体中的杂质浓度及其分布、温度以及半导体材料的禁带宽度Eg有关。除pn结势垒外，还有金属与半导体接触的接触势垒（肖特基势垒）、半导体表面形成的表面势垒等。势垒高度受外加电场的影响，当外加电场削弱势垒区中电场时，势垒降低，载流子容易通过；外加电场加强势垒区的电场时，势垒高度升高，载流子不易通过。利用pn结势垒这一特性可制成整流、检波等多种半导体器件。
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参考词条