1) potential barrier
势垒
1.
Effect of ionic vacancies on potential barrier at grain boundaries in BaTiO_3.;
钛酸钡陶瓷离子缺位对晶界势垒的影响
2.
How to analyze particle wavefunction of tunneling rectangular potential barrier——On an alteration in the new printing of Atomic Physics by Professor Chu Shenglin;
如何分析隧穿直角势垒的粒子波函数——评褚圣麟先生《原子物理学》在新印本中的一个变动
2) barrier
[英]['bæriə(r)] [美]['bærɪɚ]
势垒
1.
The results show that the probability crossing cell membrane is influenced by the ion-energy in the cell membrane channel, height and width of the barrier.
本文提出了细胞膜通道中离子跨膜运输的物理图象并通过数值模拟,研究了离子跨膜运输的几率对电磁场的响应,认为膜通道内离子的能量、势垒的高度以及势垒的宽度均对跨膜运输的离子的几率产生影响。
2.
The field emission of diamond film involves the electrons travel from the negative end of the power supply, through the various interfacial contacts, through the bulk of the film itself, to the film surface,then tunnel through the potential barrier,propagate through the vacuum gap, before finally reaching the anode.
金刚石膜场致发射过程是电子从导电基底开始,经基底/金刚石界面、金刚石薄膜体内传输到表面,然后穿过表面势垒进入真空、经真空电场加速到达阳极的一个复杂过程。
3.
The form of MgSO\-4 dosing in varistor ceramic lattice as shown in microtexture graph and its effect on ZnO crystal barrier is briefly analyzed.
同时 ,对 Mg SO4在高压氧化锌压敏电阻器陶瓷中的存在形式和显微结构以及对 Zn O晶界势垒的影响进行了简要分析。
3) potential barrier
势垒，位垒
4) nucleation barriers
形核势垒
5) square-potential barrier
方势垒
1.
Making use of the square-potential barrier to describe the influence of the insulating layer on the quasi-particle transport in normal metal/insulator/superconductor (NIS) tunnel junctions, we calculate the quasi-particle transport coefficients and the differential conductance using the Bogoliubov-de Gennes(BdG)equation and Blonder-Tinkham-Klapwijk(BTK) theory.
在正常金属 /绝缘层 /s波超导隧道结 (NIS结 )中 ,以方势垒描述绝缘层对准粒子输运的影响 ,运用Bogoliubov-deGennes(BdG)方程、Blonder-Tinkham-Klapwijk(BTK)理论 ,计算了NIS隧道结中的准粒子输运系数和微分电导 。
2.
Taking into account the impurities scattering in the normal metal region, using square-potential barrier to describe the insulating layer, we study further the tunneling spectrum of the normal metal/insulating layer/s-wave superconductor tunnel junctions making use of Bogoliubov-de Gennes(BdG) equation and Blonder-Tinkham-Klapwijk(BTK) theory.
以方势垒描述绝缘层,考虑正常金属区域的杂质散射,运用Bogoliubov-deGennes(BdG)方程和Blonder-Tinkham-Klapwijk(BTK)理论,对正常金属/绝缘层/s波超导隧道结(NIS结)中的隧道谱作进一步研究。
6) Reaction barrier
反应势垒
1.
Density functional theory B3LYP method is carried out to investigate the effect of substituent on the reaction barrier of intramolecular α-hydrogen transfer from alkyl to alkylidyne ligands in a series of organometallic chromium complexes (R3)(R4)Cr(≡CH)(CHR1R2).
确定了反应物、过渡态和产物的几何结构和反应势垒。
2.
Calculations results shows that all six reactions are exothermic and the reaction barrier is low.
本论文采用密度泛函理论B3LYP方法对五线态MnSalen(O)(R′)与取代乙烯CH_2=CHR环氧化反应中取代基对反应势垒的影响进行了理论研究。
补充资料：势垒
势垒
Potential barrier
势垒(potential barrier) 包括了势能极大的一个区域.它阻挡粒子从其一边跑到另一边。按照经典物理学，为克服势垒.粒子必须具有超过势垒高度的能量。然而，量子力学表明.能量低于势垒高度的粒子也有一定概率穿透它。当粒子能量减少时.这一概率迅速减少这种势垒的例子有电子围绕原子的负场、排斥带止电粒子的原子核内的正电荷、由固定电荷分布产生的对固态装置中出现的电子或空穴的势垒。 在原子核情形下.如果轰击粒子带正电荷十z，内它将受到库仑静电排斥·这相当厂一个随1/r变化的势能，其中r是至核中心的距离，z，是轰击粒子的原子序数，而尸是质子电荷。到原子核边缘以前.这个势垒(高度)不断增加，之后被核引力克服。这个库仑势垒的最高点在原子核表面，表达式是22，·。，/R，其中R是原子核半径，Z是核电荷数。对于质子，氖的势垒大约是4兆电子伏.而铀的势垒是17兆电子伏。在固体情况下，在半导体和金属的内界面间或不同类参杂(受主或施主)半导体区域之间，势垒上升。固体中这种势垒的存在会引起金属半导体接触时整流效应和半导体的晶体放大效应。势垒高度以电子伏而不是兆电子伏来度量，典型的是原子散射·I参阅.‘原子核结构”(nuclear“ructure)、一半导体”(semieonduetor)条. 〔斯特拉顿(R.Stratton)撰〕
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条