1) integrated X-tay reflection
累积X射线反射
2) summation reflex
累积反射
3) integrated reflecting power
(X射线的)积分反射能力
4) x-ray reflectivity
x射线反射
1.
Using the X-ray reflectivity,the structure information of Si/C 20 multilayers sample was gotten.
利用设备采用X射线反射法,在不破坏样品的情况下得到了Si/C多层膜的结构信息;通过对标准Si粉末样品的FWHM测试表明该站可进行粉末全谱扫描;利用X射线掠入射衍射技术分析了ZnO薄膜的生长条件与结构的关系;采用X射线散斑方法直接观测了弛豫铁电体内部的纳米空间尺度的电极化团簇的空间时间构造。
2.
Density changing with substrate negative bias of tetrahedral amorphous carbon (ta-C) films deposited by filter cathode vacuum arc (FCVA) system was studied by X-ray reflectivity technique.
利用过滤阴极真空电弧系统制备了不同衬底偏压下非晶金刚石薄膜,分别采用X射线反射法测定了相应的非晶金刚石膜密度,分析了薄膜密度与沉积能量之间的变化规律,建立了薄膜密度随衬底偏压的变化曲线。
5) X-ray reflectivity
X射线反射率
1.
The results show that X-ray reflectivity rocking curves of HgCdTe materials are affected by transverse composition ununiformity.
用X射线动力学理论研究了组分不均匀对HgCdTe材料X射线反射率的影响。
2.
The synchrotron radiation x-ray reflectivity and slow positron annihilation techniques were used to characterize the pore structures.
通过蒸发诱导自组装技术制备了具有不同有序结构的介孔SiO2薄膜,并采用同步辐射X射线反射率以及慢正电子束流技术对其进行表征。
6) X-ray Reflectometry(XRR)
X射线反射测量
补充资料：全反射X射线荧光分析
分子式：
CAS号：
性质：20世纪80年代迅速发展起来的一种高灵敏度痕量分析方法。当一束经过准直的X射线束，以低于全反射临界角φ投射到表面高度平滑的石英切割反射体（低通能量滤波器）时，低能X射线进行全反射，高能X射线被反射体材料折射和吸收而受到衰减，降低了散射背景。经全反射的高能X射线射到样品架上的μm级薄膜样品，激发被分析样品产生元素的特征X射线荧光，未被利用的入射X射线荧光被垂直放置的Si(或Li)探测器所检测，实现痕量元素的定性和定量分析。由于大大减少了原级X射线在样品架和样品上的相干和不相干散射，使散射本底较常规能量色散X射线荧光分析降低了3个数量级以上，大大降低了检出限，对原子序数大于11的大部分元素检出限可达到10-10～10-12g。此外还具有试样用样量少（μL或μg级）；可测定的元素和浓度范围广，除Na, Mg, Al, Si, P等轻元素外均可测；基体效应可以忽略；制样简便等优点。
CAS号：
性质：20世纪80年代迅速发展起来的一种高灵敏度痕量分析方法。当一束经过准直的X射线束，以低于全反射临界角φ投射到表面高度平滑的石英切割反射体（低通能量滤波器）时，低能X射线进行全反射，高能X射线被反射体材料折射和吸收而受到衰减，降低了散射背景。经全反射的高能X射线射到样品架上的μm级薄膜样品，激发被分析样品产生元素的特征X射线荧光，未被利用的入射X射线荧光被垂直放置的Si(或Li)探测器所检测，实现痕量元素的定性和定量分析。由于大大减少了原级X射线在样品架和样品上的相干和不相干散射，使散射本底较常规能量色散X射线荧光分析降低了3个数量级以上，大大降低了检出限，对原子序数大于11的大部分元素检出限可达到10-10～10-12g。此外还具有试样用样量少（μL或μg级）；可测定的元素和浓度范围广，除Na, Mg, Al, Si, P等轻元素外均可测；基体效应可以忽略；制样简便等优点。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条