1) high resistivity layer epitaxy
高阻层外延
2) EPI resistivity
外延层电阻率
3) silicon epilayer
硅外延层
1.
Sub-micron silicon epilayer deposited by a novel Ultrahigh Vacuum Chemical Deposition System and fabrication of high frequency device;
UHV/CVD生长亚微米薄硅外延层及其高频器件研制
4) GaN epilayer
GaN外延层
1.
GaN epilayers were grown on Si substrates by reactive deposition in vacuum.
采用真空反应法在硅基上制备出了GaN外延层。
5) Epilayer
外延层
1.
A Technique of Making Ohmic Contact with Cr and Au Plating Evaporated on the GaAs Epilayer;
GaAs外延层蒸镀Cr和Au膜制作欧姆接触及分析
2.
Epitaxial process,the key process,to buried-gate static induction device was studied,and methods for making high n-type resistance epilayer on low p-type resistance underlay were provided,the epitaxial square resistance was up to 40 000Ω/□.
对电力埋栅型静电感应晶体管关键工艺外延进行了深入研究,提出了在低阻p型衬底上制备高阻n型外延层的工艺方法,使外延层的方块电阻达到40000Ω/□。
3.
65 As/GaAs epilayer grown at low temperature (460℃).
6 5As/ Ga As外延层形貌 。
6) Epitaxial layer
外延层
1.
17\} epitaxial layer with Ge composition grade buffer layer is grown at 600℃ by our cold\|wall ultrahigh vacuum chemical vapor deposition system (UHV/CVD).
17外延层 ,并在其上获得了具有张应变的 Si盖帽层 。
补充资料：九日阻雨简高侍御（时与高公近邻）
【诗文】：
江上重云起，何曾裛□尘。不能成落帽，翻欲更摧巾。
素发闲依枕，黄花暗待人。且应携下价，芒屦就诸邻。
【注释】：
【出处】：
全唐诗：卷817-72
江上重云起，何曾裛□尘。不能成落帽，翻欲更摧巾。
素发闲依枕，黄花暗待人。且应携下价，芒屦就诸邻。
【注释】：
【出处】：
全唐诗：卷817-72
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