1) backputtering
反向溅射
2) Reactive sputtering
反应溅射
1.
Microstructure and mechanical properties of Ti-Al-Si-N nanocrystalline composite films prepared by the reactive sputtering method;
反应溅射Ti-Al-Si-N纳米晶复合薄膜的微结构与力学性能
2.
Microstructure and mechanical properties of(Al,Ti)(O,N) coatings synthesized by reactive sputtering;
反应溅射(Al,Ti)(O,N)涂层的微结构与力学性能
3.
On-line continuous deposition of SiO_2 by medium frequency reactive sputtering and ITO by direct current sputtering;
中频反应溅射SiO_2膜与直流溅射ITO膜的在线联镀
4) backward sputtering
背向溅射
1.
An experimental method of measuring backward sputtering induced by fast neutron is described.
描述了用实验方法测量快中子引起的背向溅射，测量了Mg、Al、Sc、V、Fe、CO、Cu、Zr、Au和316型不锈钢等10种材料的背向溅射产额，并与正向产额进行了比较，发现背向和正向溅射产额的比值与核反应的类型有关。
5) Lateral sputtering
侧向溅射
6) RF actively sputtering technique
RF反应溅射
1.
Highly oriented and transparent polycrystalline ZnO films prepared by RF actively sputtering technique;
RF反应溅射法制备高度取向生长的透明多晶ZnO薄膜
补充资料：磁控溅射
分子式：
CAS号：
性质：用一个环形永久磁体在乎板形靶上产生环形磁场，在磁场作用下，电子被约束在一个环状空间内，形成高密度的等离子环。在等离子环内，电子不断地使Ar原子变成Ar离子，Ar离子被加速后打向靶表面，把靶内的原子溅射出来，沉积在基片上形成薄膜。若靶材为导体，溅射电源可用直流或射频电源，如靶材是绝缘体，则必须用射频电源。用多源共溅射加后处理法可制备双面薄膜。将基片放置在靶中心线上，称为正轴溅射，基片放在靶轴线外；称为偏轴溅射。磁控溅射是广泛采用的制膜方法。
CAS号：
性质：用一个环形永久磁体在乎板形靶上产生环形磁场，在磁场作用下，电子被约束在一个环状空间内，形成高密度的等离子环。在等离子环内，电子不断地使Ar原子变成Ar离子，Ar离子被加速后打向靶表面，把靶内的原子溅射出来，沉积在基片上形成薄膜。若靶材为导体，溅射电源可用直流或射频电源，如靶材是绝缘体，则必须用射频电源。用多源共溅射加后处理法可制备双面薄膜。将基片放置在靶中心线上，称为正轴溅射，基片放在靶轴线外；称为偏轴溅射。磁控溅射是广泛采用的制膜方法。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条