1) altra-thin tunnel oxide
超薄隧道氧化层
2) tunnel oxide
隧道氧化层
1.
Degradation of tunnel oxide in E~2PROM under constant current stress;
恒流应力下E~2PROM隧道氧化层的退化特性研究
2.
Plasma damage-induced EEPROM failures have been investigated The reason in fabricate process have been analysed from tunnel oxide,device structure,PECVD,plasma etch.
文章讨论了等离子体损伤造成的EEPROM电路失效,从隧道氧化层质量、器件结构、PECVD、等离子体腐蚀几方面分析了工艺中造成等离子体损伤的原因。
3) ultrathin oxide layer
超薄氧化层
4) ultra-thin gate oxide
超薄栅氧化层
1.
The breakdown characteristics of ultra-thin gate oxide n-MOSFET under voltage stress;
电压应力下超薄栅氧化层n-MOSFET的击穿特性
2.
Conduction mechanism of ultra-thin gate oxide n-MOSFET after soft breakdown;
超薄栅氧化层n-MOSFET软击穿后的导电机制
3.
The dynamic reliability of ultra-thin gate oxide and its breakdown characteristics;
动态应力下超薄栅氧化层经时击穿的可靠性评价
5) ultra thin gate oxide
超薄栅氧化层
1.
The breakdown protection characteristics of fluorination and nitrification implanted ultra thin gate oxide are investigated.
对注 F、注 N以及先注 N后注 F超薄栅氧化层的击穿特性进行了实验研究 ,实验结果表明 ,在栅介质中引入适量的 F或 N都可以明显地提高栅介质的抗击穿能力 。
2.
The breakdown characteristics of N 2O nitride ultra thin gate oxide are investigated.
研究了含 N超薄栅氧化层的击穿特性 。
6) tunnel oxide
隧穿氧化层
补充资料：薄层棒色谱法
分子式：
CAS号：
性质：又称棒色谱(rod chromatography)。在石英棒或石英管外壁上涂布一薄层物质作为固定相的薄层色谱法。
CAS号：
性质：又称棒色谱(rod chromatography)。在石英棒或石英管外壁上涂布一薄层物质作为固定相的薄层色谱法。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条