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1)  floating-gate tunnel oxide
浮栅隧道氧化物
2)  floating-gate MOS
浮栅金属氧化物半导体
3)  metal-oxide-metal j unction
金属-氧化物-金属隧道结
4)  gate oxide
栅氧化物
5)  tunnel oxide
隧道氧化层
1.
Degradation of tunnel oxide in E~2PROM under constant current stress;
恒流应力下E~2PROM隧道氧化层的退化特性研究
2.
Plasma damage-induced EEPROM failures have been investigated The reason in fabricate process have been analysed from tunnel oxide,device structure,PECVD,plasma etch.
文章讨论了等离子体损伤造成的EEPROM电路失效,从隧道氧化层质量、器件结构、PECVD、等离子体腐蚀几方面分析了工艺中造成等离子体损伤的原因。
6)  thin gate oxide
薄栅氧化物
补充资料:钴钼氢氧化物氧化物磷酸盐
CAS:68130-37-0
中文名称:钴钼氢氧化物氧化物磷酸盐
英文名称:Cobalt molybdenum hydroxide oxide phosphate; Molybdenum cobalt acid phosphate complex; Molybdenumcobaltacid phosphate complex
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条