1) polycrystal GaAs film
多晶砷化镓薄膜
2) polycrystalline GaAs
砷化镓多晶
3) GaAs single crystal
砷化镓单晶
1.
Plastic deformation induced by indentation in a GaAs single crystal was investigated using electron microscopy in the present experiment.
用电子显微镜研究了压痕诱发砷化镓单晶中的塑性变形。
2.
049N Vickers indentation in GaAs single crystal has been investigated using high-resolution electron microscopy.
０４９ Ｎ载荷 Ｖｉｃｋｅｒｓ压痕诱发砷化镓单晶的相转变进行了观察和研究，结果表明。
4) GaAs transistor
砷化镓晶体管
5) HB-GaAs single ctystle
水平砷化镓单晶
6) gallium arsenic phosphide single crystal
磷砷化镓单晶
补充资料：多晶莫来石晶须(纤维)
分子式：
CAS号：
性质：莫来石相为主晶相的多晶纤维。化学成分为Al2O3 72％～77％，SiO222％～17％，B2O3 3％～5％，P2O51.5％～3.0％。纤维直径2～7μm，纤维长度20～125μm。使用温度1350℃。多采用溶胶-凝胶法制造。主要用作补强填料，也可作为轻质、隔热保温材料使用。
CAS号：
性质：莫来石相为主晶相的多晶纤维。化学成分为Al2O3 72％～77％，SiO222％～17％，B2O3 3％～5％，P2O51.5％～3.0％。纤维直径2～7μm，纤维长度20～125μm。使用温度1350℃。多采用溶胶-凝胶法制造。主要用作补强填料，也可作为轻质、隔热保温材料使用。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条