1) triethyl gallium
三乙基镓
2) trivinylgallium
三乙烯基镓
3) triethylgallium
三乙基化镓
4) high-purity triethylgallium
高纯三乙基镓
5) trimethylgallium
三甲基镓
1.
The present with trimethylgallium(TMG), triethylindium(TEI) and AsH3(100%), PH3 (100) as group Ⅲ and group Ⅴ sources respectively the In1-xGaxAs/InP multiquantum trap structure matetsals, were grown by organometallic vapor epitaxy (MOVPE) technique at a low temperature and low pressure.
本文报导了在低温、低压下,以三甲基镓(TMG)、三乙基铟(TEI)为Ⅲ族源材料,100％砷烷(AsH_3)、100％磷烷(PH_3)为V族源材料,用金属有机化合物气相沉积技术在(100)InP衬底上生长出In_(1-x)Ga_xAs/InP多量子阱结构材料。
6) Triarylgalliums
三芳基镓
1.
Studies on Reaction of Triarylgalliums with α,β-unsaturated ketones;
三芳基镓与α,β—不饱和酮反应的研究
补充资料：三乙基镓
分子式：(C2H5)3Ga
CAS号：
性质：无色液体。熔点-82.3℃。沸点142.6℃，43～44℃（2133.15Pa）。密度d301.0586g/cm3。溶于乙醚、苯等有机溶剂。在蒸气态是单体。易形成二聚体、三聚体。在空气中燃烧。遇冷水水解，放出一分子乙烷。与卤化氢或卤素在室温下反应，完全分解。可用金属镓在约160℃置换二乙基汞中的汞而制取。用于有机合成，是乙基化试剂和强还原剂，也是制备有机镓化合物的中间体。
CAS号：
性质：无色液体。熔点-82.3℃。沸点142.6℃，43～44℃（2133.15Pa）。密度d301.0586g/cm3。溶于乙醚、苯等有机溶剂。在蒸气态是单体。易形成二聚体、三聚体。在空气中燃烧。遇冷水水解，放出一分子乙烷。与卤化氢或卤素在室温下反应，完全分解。可用金属镓在约160℃置换二乙基汞中的汞而制取。用于有机合成，是乙基化试剂和强还原剂，也是制备有机镓化合物的中间体。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条