1) triniobium gallium
铌三镓
2) La_3Ga_(5.5)Nb_(0.5)O_(14)
铌酸镓镧
3) trimethylgallium
三甲基镓
1.
The present with trimethylgallium(TMG), triethylindium(TEI) and AsH3(100%), PH3 (100) as group Ⅲ and group Ⅴ sources respectively the In1-xGaxAs/InP multiquantum trap structure matetsals, were grown by organometallic vapor epitaxy (MOVPE) technique at a low temperature and low pressure.
本文报导了在低温、低压下,以三甲基镓(TMG)、三乙基铟(TEI)为Ⅲ族源材料,100％砷烷(AsH_3)、100％磷烷(PH_3)为V族源材料,用金属有机化合物气相沉积技术在(100)InP衬底上生长出In_(1-x)Ga_xAs/InP多量子阱结构材料。
4) Triarylgalliums
三芳基镓
1.
Studies on Reaction of Triarylgalliums with α,β-unsaturated ketones;
三芳基镓与α,β—不饱和酮反应的研究
5) Organogallium compounds
三烃基镓
1.
The reaction of Organogallium compounds(R3Ga)with acyl (aryl)chlo-ride has been sttidied.
研究了三烃基镓化合物与酰氯的反应。
6) gallium triple point
镓三相点
1.
The paper presents the method of the realization of the gallium triple point.
本文介绍了镓三相点的复现方法 ,并对镓三相点值进行测量 ,其温度值为 2 9 7666℃。
2.
Gallium triple point as a new fixed point has been researched widely in recent years.
近年来 ,镓三相点作为新的温度固定点的研究已经得到了广泛的重视。
补充资料：铌三镓
分子式：Nb3Ga
CAS号：
性质：超导化合物，Al5晶体结构，形成温度1705℃，均相区15.3%～23.5%（原子），超导临界温度Tc=20.3K，在4.2K下的上临界磁场Hc=33.5T，晶格常数α为517.2pm。用金属铌和镓直接反应或化学气相沉积法制取。主要用作超导材料。
CAS号：
性质：超导化合物，Al5晶体结构，形成温度1705℃，均相区15.3%～23.5%（原子），超导临界温度Tc=20.3K，在4.2K下的上临界磁场Hc=33.5T，晶格常数α为517.2pm。用金属铌和镓直接反应或化学气相沉积法制取。主要用作超导材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条