1) high-purity trimethylgallium
高纯三甲基镓
2) high-purity triethylgallium
高纯三乙基镓
3) high-purity triisobutylgallium
高纯三异丁基镓
4) trimethylgallium
三甲基镓
1.
The present with trimethylgallium(TMG), triethylindium(TEI) and AsH3(100%), PH3 (100) as group Ⅲ and group Ⅴ sources respectively the In1-xGaxAs/InP multiquantum trap structure matetsals, were grown by organometallic vapor epitaxy (MOVPE) technique at a low temperature and low pressure.
本文报导了在低温、低压下,以三甲基镓(TMG)、三乙基铟(TEI)为Ⅲ族源材料,100％砷烷(AsH_3)、100％磷烷(PH_3)为V族源材料,用金属有机化合物气相沉积技术在(100)InP衬底上生长出In_(1-x)Ga_xAs/InP多量子阱结构材料。
5) high-purity trimethylphosphorus
高纯三甲基磷
6) high-purity trimethylaluminum
高纯三甲基铝
补充资料：高纯三甲基镓
分子式：(CH3)3Ga
CAS号：
性质：熔点-15.8℃。沸点55.7℃。密度1.10g/cm3。纯度≥99.999％。自燃性液体，对空气和水十分敏感。采用精密精馏法及加合物法提纯制备。是应用制备含镓化合物和合金最广泛的镓源。主要应用于制备高电子迁移率的高纯GaAs薄膜、高效GaAs太阳能电池、高激光功率输出的二极管等器件。
CAS号：
性质：熔点-15.8℃。沸点55.7℃。密度1.10g/cm3。纯度≥99.999％。自燃性液体，对空气和水十分敏感。采用精密精馏法及加合物法提纯制备。是应用制备含镓化合物和合金最广泛的镓源。主要应用于制备高电子迁移率的高纯GaAs薄膜、高效GaAs太阳能电池、高激光功率输出的二极管等器件。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条