1) Organogallium compounds
三烃基镓
1.
The reaction of Organogallium compounds(R3Ga)with acyl (aryl)chlo-ride has been sttidied.
研究了三烃基镓化合物与酰氯的反应。
2) trimethylgallium
三甲基镓
1.
The present with trimethylgallium(TMG), triethylindium(TEI) and AsH3(100%), PH3 (100) as group Ⅲ and group Ⅴ sources respectively the In1-xGaxAs/InP multiquantum trap structure matetsals, were grown by organometallic vapor epitaxy (MOVPE) technique at a low temperature and low pressure.
本文报导了在低温、低压下,以三甲基镓(TMG)、三乙基铟(TEI)为Ⅲ族源材料,100％砷烷(AsH_3)、100％磷烷(PH_3)为V族源材料,用金属有机化合物气相沉积技术在(100)InP衬底上生长出In_(1-x)Ga_xAs/InP多量子阱结构材料。
3) Triarylgalliums
三芳基镓
1.
Studies on Reaction of Triarylgalliums with α,β-unsaturated ketones;
三芳基镓与α,β—不饱和酮反应的研究
4) triethyl gallium
三乙基镓
5) thriphenyl gallium
三苯基镓
6) tripropyl gallium
三丙基镓
补充资料：高纯三乙基镓
分子式：(C2H5)3Ga
CAS号：
性质：熔点-82.3℃。沸点143℃。密度1.0576g/cm3。纯度≥99.999％。自燃性液体，对空气和水十分敏感。蒸气压比三甲基镓小，用于制备十分洁净的GaAs薄膜。采用精密减精馏和加合物技术提纯制备。广泛用于低积炭的薄膜淀积。
CAS号：
性质：熔点-82.3℃。沸点143℃。密度1.0576g/cm3。纯度≥99.999％。自燃性液体，对空气和水十分敏感。蒸气压比三甲基镓小，用于制备十分洁净的GaAs薄膜。采用精密减精馏和加合物技术提纯制备。广泛用于低积炭的薄膜淀积。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条