1) gallium triple point
镓三相点
1.
The paper presents the method of the realization of the gallium triple point.
本文介绍了镓三相点的复现方法 ,并对镓三相点值进行测量 ,其温度值为 2 9 7666℃。
2.
Gallium triple point as a new fixed point has been researched widely in recent years.
近年来 ,镓三相点作为新的温度固定点的研究已经得到了广泛的重视。
2) point of three phase
三相点
1.
If φ i < φ , then the crossing point is the point of three phase, components in the point o.
提出了一种新的绘制φ—ｐＨ 图的方法， 即先求出所有的单变线方程， 再选取某一种组分Ｍｉ 为主组分， 把含有该组分的所有单变线方程两两求解， 求出交点（ φｉ ，ｐＨｉ） ， 然后用化学势约束原理法， 将主组分同其它组分在该点的化学势作比较， 若前者的化学势小于后者， 则该点为所求的三相点。
3) triple point
三相点
1.
oth of the freezing point and the temperature of a triple point in a dilute solution which contain a nonvolatile solute,are lower than those of pure solvent respectively.
说明了非挥性溶质溶液的凝固点和三相点的温度都比纯溶剂的要低，前者不同于后者。
4) three-phase point of water
水三相点
5) melting point of gallium
镓熔点
6) trimethylgallium
三甲基镓
1.
The present with trimethylgallium(TMG), triethylindium(TEI) and AsH3(100%), PH3 (100) as group Ⅲ and group Ⅴ sources respectively the In1-xGaxAs/InP multiquantum trap structure matetsals, were grown by organometallic vapor epitaxy (MOVPE) technique at a low temperature and low pressure.
本文报导了在低温、低压下,以三甲基镓(TMG)、三乙基铟(TEI)为Ⅲ族源材料,100％砷烷(AsH_3)、100％磷烷(PH_3)为V族源材料,用金属有机化合物气相沉积技术在(100)InP衬底上生长出In_(1-x)Ga_xAs/InP多量子阱结构材料。
补充资料：三相点
见相和相变。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条