1) spiral dislocation
螺错位
2) Screw dislocation
螺旋位错
1.
First, {104} plane of calcite crystallite containing screw dislocation is simulated by HyperChem according to growth shape of calcite.
首先,根据方解石晶体生长形貌,通过分子模拟软件生成有螺旋位错的方解石{104}面,同时基于半经验分子轨道理论,对离解后的HEDP结构优化以获得其部分电荷分布。
2.
By observing the {100} faces morphology of DKDP crystal grown in all three dimensions with atom force microscope,screw dislocations were found.
采用原子力显微镜观测全方位生长的DKDP晶体的{100}面形貌,发现有螺旋位错,由此推断DKDP晶体{100}面以螺旋位错机制生长;利用同步辐射X射线白光形貌术观测了DKDP晶体缺陷,探讨了不同生长条件及生长阶段对晶体完整性的影响。
3.
On the crystal surfaces of the beryl crystal at ｛0001｝,｛1010｝,｛1121｝ occur universally screw dislocation,constriction screw dislocation,stacking fault,and contact twin that serve as the major step like source for the growth of beryl crystal.
在绿柱石晶体的 { 0 0 0 1}、{ 10 10 }、{ 112 1}面上 ,普遍发育螺旋位错、束合螺旋位错、层错及接触双晶 ,它们共同构成了绿柱石晶体生长的主要台阶源。
3) screw dislocation
螺型位错
1.
The elasticity field for screw dislocation in cubic quasi-crystal;
立方准晶中螺型位错的弹性场
2.
This paper studied the interaction of a generalized screw dislocation with interfacial conducting rigid line inclusions by using analysis continuation principle of functions of complex variable,and the general solution of the problem was presented.
采用复变函数解析延拓原理,研究了电磁材料中压电磁螺型位错和共线界面刚性线的磁电弹耦合干涉效应并得到该问题的一般解答。
3.
The electroelastic interaction of a screw dislocation inside a circular inclusion with interfacial cracks in piezoelectric composite materials under anti_plane shear and in_plane electric loads at infinity is investigated.
研究了无穷远纵向剪切和面内电场共同作用下,压电复合材料圆形夹杂中螺型位错与界面裂纹的电弹耦合干涉作用。
4) screw dislocation
螺位错
1.
These cordis-shape protuberances are different from the Frank-Read circle arose from the anti-direction double screw dislocation.
用原子力显微镜在有机非线性光学晶体CdHg(SCN)4(H6C2OS)2(CMTD)的(001)面上观察到了许多奇特的心形螺旋生长丘,这种心形线不同于由反向双螺位错发展而成的瑞德环(Frank Read)。
2.
The nteraction of a screw dislocation with a conducting interfacial edge crack is considered in a semi-infinite piezoelectric bi-material.
研究了半无限大压电双材料中导电界面边裂纹与螺位错之间的相互作用问题。
3.
This paper is concerned with a screw dislocation in a magneto-electro-elastic(MEE) bi-material.
研究无限大磁电双材料中的螺位错问题。
5) helical dislocation
螺线位错
6) emitting screw dislocation
发射螺位错
补充资料：螺错位
分子式：
CAS号：
性质：是晶体缺陷的一种。在晶体生长过程中，由于不同晶面的不同部位具有不同的能量，溶质的沉积程度有所不同。当晶面上出现有一定坡度的台阶斜面时，就会发展成为螺旋形晶体。
CAS号：
性质：是晶体缺陷的一种。在晶体生长过程中，由于不同晶面的不同部位具有不同的能量，溶质的沉积程度有所不同。当晶面上出现有一定坡度的台阶斜面时，就会发展成为螺旋形晶体。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条