1) screw dislocation growth mechanism
螺旋位错生长机理
2) screw dislocation theory of crystal growth
螺型位错生长理论
3) Screw dislocation
螺旋位错
1.
First, {104} plane of calcite crystallite containing screw dislocation is simulated by HyperChem according to growth shape of calcite.
首先,根据方解石晶体生长形貌,通过分子模拟软件生成有螺旋位错的方解石{104}面,同时基于半经验分子轨道理论,对离解后的HEDP结构优化以获得其部分电荷分布。
2.
By observing the {100} faces morphology of DKDP crystal grown in all three dimensions with atom force microscope,screw dislocations were found.
采用原子力显微镜观测全方位生长的DKDP晶体的{100}面形貌,发现有螺旋位错,由此推断DKDP晶体{100}面以螺旋位错机制生长;利用同步辐射X射线白光形貌术观测了DKDP晶体缺陷,探讨了不同生长条件及生长阶段对晶体完整性的影响。
3.
On the crystal surfaces of the beryl crystal at ｛0001｝,｛1010｝,｛1121｝ occur universally screw dislocation,constriction screw dislocation,stacking fault,and contact twin that serve as the major step like source for the growth of beryl crystal.
在绿柱石晶体的 { 0 0 0 1}、{ 10 10 }、{ 112 1}面上 ,普遍发育螺旋位错、束合螺旋位错、层错及接触双晶 ,它们共同构成了绿柱石晶体生长的主要台阶源。
4) spiral growth mechanism
螺旋生长机制
1.
The surface spirals observed show the significance of spiral growth mechanism in the development of zircon, visu-vianite and.
测量研究了锆石、黄玉、石榴石、羟硅铍石和符山石的形态和微形貌,并分别列出了这些晶体的化学成分和其它鉴定参数,观察到的生长和溶蚀螺纹证实螺旋生长机制在硅酸盐矿物晶体生长中具有重要意义。
5) dislocation growth mechanism
位错生长机制
6) spiral dislocation
螺旋形位错
补充资料：螺旋位错生长机理
分子式：
CAS号：
性质：非理想晶面上的电结晶机理。此理论认为，实际晶体是不完整的，生长面上存在螺旋位错露头点，可以作为晶体生长的台阶源。在晶体生长过程中，生长台阶绕着螺旋位错线回旋扩散而永不消失。这一机理与二维成核生长机理的差别在于：它不需要形成二维晶核，晶体在一定条件下就能生长。螺旋生长的速率主要取决于金属吸附原子的表面扩散速度。
CAS号：
性质：非理想晶面上的电结晶机理。此理论认为，实际晶体是不完整的，生长面上存在螺旋位错露头点，可以作为晶体生长的台阶源。在晶体生长过程中，生长台阶绕着螺旋位错线回旋扩散而永不消失。这一机理与二维成核生长机理的差别在于：它不需要形成二维晶核，晶体在一定条件下就能生长。螺旋生长的速率主要取决于金属吸附原子的表面扩散速度。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条