1) helical(spiral) dislocation,screw dislocation
螺旋位错<晶格缺陷>
2) dislocation defects
位错缺陷
1.
Influence of pit defects on AlGaN surface and dislocation defects in GaN buffer layer on current collapse of AlGaN/GaN HEMTs;
AlGaN表面坑状缺陷及GaN缓冲层位错缺陷对AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应的影响
3) Anti-site defects
错位缺陷
4) lattice defect
晶格缺陷
1.
Opinions were put forward that impaired the aging behavior of the basis material was not the photocatalytic effect but the photochemical activity from lattice defect of TiO_2.
提出削弱基体材料耐老化性的不是TiO2的光催化作用,而是TiO2晶格缺陷引起的光化学活性。
2.
The lattice defects in AIN ceramic specimens with different thermal conductivities were observed by TEM.
用透射电镜观察了不同热导率的Ａ１Ｎ陶瓷中存在的晶格缺陷，这类缺陷主要以位错线形式呈现，分布不均匀，大多集中在晶界处。
5) crystal defect
晶格缺陷
1.
For there are a lot kinds of materials used in the semiconductor manufacturing process, the stress of wafer will varied widely between layers as a result of different materials at layers, so thecrystal defect may occur.
18微米后出现的衬底晶格缺陷现象和相应的解决方法。
2.
Crystal etching,a traditional method to study the crystal symmetry and crystal defects,should be a new application in modern mineralogy.
矿物晶体腐蚀像是一种研究晶体对称、晶格缺陷等传统的方法。
补充资料：螺旋位错生长机理
分子式：
CAS号：
性质：非理想晶面上的电结晶机理。此理论认为，实际晶体是不完整的，生长面上存在螺旋位错露头点，可以作为晶体生长的台阶源。在晶体生长过程中，生长台阶绕着螺旋位错线回旋扩散而永不消失。这一机理与二维成核生长机理的差别在于：它不需要形成二维晶核，晶体在一定条件下就能生长。螺旋生长的速率主要取决于金属吸附原子的表面扩散速度。
CAS号：
性质：非理想晶面上的电结晶机理。此理论认为，实际晶体是不完整的，生长面上存在螺旋位错露头点，可以作为晶体生长的台阶源。在晶体生长过程中，生长台阶绕着螺旋位错线回旋扩散而永不消失。这一机理与二维成核生长机理的差别在于：它不需要形成二维晶核，晶体在一定条件下就能生长。螺旋生长的速率主要取决于金属吸附原子的表面扩散速度。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条