1) titanium nitride film resistor mate-rials TiN
氮化钛薄膜电阻材料
2) tantalum nitride resistance film
氮化钽电阻薄膜
3) superhard TiN film
超硬氮化钛薄膜
1.
Nano-superhard TiN film deposition by vacuum cathode multi-arc ion-plating technology;
真空阴极多弧离子镀沉积纳米超硬氮化钛薄膜
4) N-doping TiO_2 films
掺氮二氧化钛薄膜
5) TiN film
氮化钛膜
1.
Effect on substrate-film adherence of TiN film enhanced plasma nitriding;
等离子体渗氮与氮化钛膜沉积一体化工艺对膜基结合力的影响
6) TiN coating
氮化钛膜
1.
Influence of TiN coating on bacteria adhesion of Ti surface;
氮化钛膜对纯钛表面细菌黏附能力的影响
2.
Objective To compare the changes of wettability、topography and energy spectroscopy before and after TiN coating on Co-Cr alloy and Ni-Cr alloy surface in vitro.
方法制作钴铬、镍铬合金各16件,随机各选出8件,采用多弧离子镀法在其表面沉积氮化钛膜,分为未镀膜组和镀膜组。
补充资料：氮化钛薄膜电阻材料
分子式：
CAS号：
性质：一种中阻值的薄膜电阻材料。电阻率(279～300) μΩ·cm，电阻温度系数小于±10-4/℃。采用反应蒸发、反应溅射和化学气相沉积等方法制取。主要用于薄膜混合集成电路中制作薄膜电阻器。
CAS号：
性质：一种中阻值的薄膜电阻材料。电阻率(279～300) μΩ·cm，电阻温度系数小于±10-4/℃。采用反应蒸发、反应溅射和化学气相沉积等方法制取。主要用于薄膜混合集成电路中制作薄膜电阻器。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条