补充资料：半导体晶体缺陷

半导体晶体缺陷
crystal defect of semiconductor

　　bondaoti lingt一quexlan半导体晶体缺陷(erystal defeet Of semicon-ductor)半导体晶体中偏离完整结构的区域称为晶体缺陷。按其延展的尺度可分为点缺陷、线缺陷、面缺陷和体缺陷，这4类缺陷都属于结构缺陷。根据缺陷产生的原因可分为原生缺陷和二次缺陷。从化学的观点看，晶体中的杂质也是缺陷，杂质还可与上述结构缺陷相互作用形成复杂的缺陷。一般情况下，晶体缺陷是指结构缺陷。 点缺陷(零维缺陷)主要是空位、间隙原子、反位缺陷和点缺陷复合缺陷。 空位格点上的原子离开平衡位置，在晶格中形成的空格点称为空位。离位原子如转移到晶体表面，在晶格内部所形成的空位，称肖特基空位;原子转移到晶格的间隙位置所形成的空位称弗兰克尔空位。 间隙原子位于格点之间间隙位置的原子。当其为晶体基质原子时称为自间隙原子，化合物半导体MX晶体中的自间隙原子有Mi、Xi两种。 反位缺陷化合物半导体晶体MX中，X占M位，或M占X位所形成的缺陷，记作M、，XM。 点缺陷的复合各种点缺陷常可形成更复杂的缺陷，空位或间隙原子常可聚集成团，这些团又可崩塌成位错环等。例如硅单晶中有:双空位、F中心(空位一束缚电子复合体)，E中心(空位一P原子对)，510、团(空位一氧复合体)，雾缺陷(点缺陷一金属杂质复合体)。 硅单晶中主要点缺陷有空位、自间隙原子、间隙氧、替位碳、替位硼、替位铜，间隙铜等。 化合物如GaAS单晶中点缺陷有稼空位(VGa)、砷空位(vA，)、间隙稼(Ga)，间隙砷(As，)、稼占砷位(AsG。)、砷占稼位(Ga、，)等，这些缺陷与缺陷、缺陷与杂质之间发生相互作用可形成各种复合体。 GaAS中的深能级。砷占稼位一稼空位复合体(AsG。VG。)、稼占砷位一稼空位复合体(GaA，VG。)在GaAS中形成所谓A能级(。.40eV)和B能级(0.7zeV)分别称作HB:、HBS，它们与EL:是三个GaAS中较重要的深能级，这些深能级与某类缺陷或缺陷之间反应产物有关，EL:是反位缺陷AsG:或其复合体AsGavGavA，所形成，为非掺杂半绝缘GaAs单晶和GaAS VPE材料中的一个主要深能级，能级位置是导带下0.82ev(也可能由一族深能级所构成)，其浓度为10‘6cm一3数量级，与材料的化学配比和掺杂浓度有关。 线缺陷(一维缺陷)半导体晶体中的线缺陷主要是位错。

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