1) HgCdTe(MCT)
碲镉汞(MCT)
2) HgCdTe
碲镉汞
1.
Morphology Study on HgCdTe Film Grown of MOVEP;
气相外延法生长碲镉汞薄膜的形貌特性研究
2.
Study on the Composition and Homogeneity Control of HgCdTe Crystal;
碲镉汞晶体组分及其均匀性控制研究
3.
Effect of laser energy on annealing of ion implanted HgCdTe;
激光能量对碲镉汞注入样品退火效果的影响
3) MCT
碲镉汞
1.
Magnetic-field Effect MCT Crystal Composition Distribution;
磁场对布里兹曼法碲镉汞晶体组分分布的作用
2.
The In Bump Growth on the Large Scale MCT IR Device;
新型大面阵碲镉汞探测器In柱生长工艺研究
3.
Study low frequency noise of MCT MW photoconductive detectors by changing background radiation;
改变背景辐射研究碲镉汞中波光导探测器低频噪声
4) mercury cadmium telluride
碲镉汞
1.
As one of the tunable bandgap semiconductors,mercury cadmium telluride(MCT) is by far the most efficient infrared detectors that operate in a wide wavelength range(from 1 to 25 μm).
作为一种禁带宽度可调的半导体,碲镉汞(MCT)至今仍是一种最有效的可在较宽波长(1～25μm)范围内工作的红外探测器。
2.
Fabrication of mercury cadmium telluride(HgCdTe) devices has always been a challenging task due to sensitive nature of the material.
由于材料性质比较敏感,碲镉汞探测器的制备一直是一项具有挑战性的任务。
5) HgCdTe
碲镉汞材料
1.
HgCdTe is a very important fundamental infrared semiconductor material for our national high technology, HgCdTe and related devices have been adopted as the key component in the region of our independent space technology and used in the weather satellite of our country.
碲镉汞材料是我国战略性高技术-红外光电技术的重要支撑性与基础性材料,已作为我国的自主技术在国家的航天领域得到了在轨应用。
6) HgCdTe film
碲镉汞薄膜
1.
Metalorganic chemical vapour phase deposition (MOCVD) is a very important technique to grow high quality HgCdTe films for fabrication of infrared focal plane arrays (IRFPAs).
文中讨论了汞源温度、生长温度、衬底材料及互扩散多层工艺 (IMP)等因素在MOCVD外延生长碲镉汞薄膜过程中的作用机理 ,并选择合适的生长条件获得了质量优良的碲镉汞薄膜。
2.
Large area n-on-p structures of p-n junction with different proton implantation doses are fabricated on the moleculer beam epitaxial grown HgCdTe films for mid-infrared wavelength region.
基于中波响应波段的分子束外延碲镉汞薄膜材料成功制备出不同质子注入剂量的大光敏元 ( 5 0 0 μm× 5 0 0 μm)的n on p结构的p n结 ,并对相应的p n结的电流 电压 (I V)特性进行了研究 。
补充资料：碲化镉汞晶体
分子式：
CAS号：
性质：Hg1-xCdxTe 0≤x≤1 共价键结合，有离子键成分。立方晶系闪锌矿结构。为直接带隙半导体，室温禁带宽度随x在1.5～-0.15eV范围。电子迁移率1.9m2/(V·s)。用布里奇曼法、水平区熔法等制备大块晶体。用蒸发、溅射、分子束外延等方法制备薄膜。用于制作红外探测器等。
CAS号：
性质：Hg1-xCdxTe 0≤x≤1 共价键结合，有离子键成分。立方晶系闪锌矿结构。为直接带隙半导体，室温禁带宽度随x在1.5～-0.15eV范围。电子迁移率1.9m2/(V·s)。用布里奇曼法、水平区熔法等制备大块晶体。用蒸发、溅射、分子束外延等方法制备薄膜。用于制作红外探测器等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条