2) CuInSe_2
铜铟硒
1.
Fundamental studies of CuInSe_2 thin films based solar cells;
铜铟硒薄膜太阳能电池的几个基础问题研究
2.
Comparison of Photoelectrochemistry Oscillating Behaviour of Electrodeposited Semiconductor Thin Films CuInSe_2, AgInSe_2 and AuInSe_2;
对用电沉积方法制备的铜铟硒、银铟硒和金铟硒半导体薄膜在阴极还原H2O2时产生的（光）电化学振荡现象进行了对比性的分析与研究。
3) CIGS
铜铟镓硒
1.
Application of dipulse power supply with variable duty ratio to the preparation of predeposited layer of CIGS thin films;
可变占空比的双脉冲电源在铜铟镓硒预置层制备中的应用
2.
And it gives introduction on the on-going commercializing project of CIGS thin film photovoltaic(PV) technologies.
阐述了铜铟镓硒薄膜太阳电池的研究现状、发展趋势;描述了铜铟镓硒薄膜太阳电池及其组件的商业化进程;介绍了正在实施和筹备的铜铟镓硒薄膜太阳电池技术的商业化项目。
5) CIGS thin film
铜铟镓硒薄膜
1.
Application of sputtering-based laminating selenylation process to preparation of CIGS thin films;
以溅射为主的叠层硒化法制备大面积铜铟镓硒薄膜
6) copper indium diselenide crystal
二硒化铜铟晶体
补充资料：二硒化铜铟晶体
分子式：
CAS号：
性质：周期表第I，III，VI族元素化合物半导体。共价键结合，有一定离子键成分。正方晶系黄铜矿型结构，晶格常数0.577nm。为直接带隙半导体。室温禁带宽度1.04eV。电子和空穴迁移率分别为3.2×10-2m2/(V·s)和1×10-3m2/(V·s)。熔点990℃。采用布里奇曼法、定向凝固法制备。为近红外发光材料。
CAS号：
性质：周期表第I，III，VI族元素化合物半导体。共价键结合，有一定离子键成分。正方晶系黄铜矿型结构，晶格常数0.577nm。为直接带隙半导体。室温禁带宽度1.04eV。电子和空穴迁移率分别为3.2×10-2m2/(V·s)和1×10-3m2/(V·s)。熔点990℃。采用布里奇曼法、定向凝固法制备。为近红外发光材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条