1) Si1-xGex/Si structure
Si1-xGe/Si
2) Si /Si1-xGex HEMT
Si/Si1-xGex HEMT
3) Si_(1-x)Ge_x/Si heterostructure
Si1-xGex/Si异质结
1.
Si_(1-x)Ge_x/Si heterostructure was prepared by implanting 5.
3×1016/cm2的Ge+注入(001)SIMOX硅膜中制备Si1-xGex/Si异质结;然后,对样品进行碘钨灯快速热退火,退火温度为700~1050℃,退火时间为5~30min。
4) Si/Si_ 1-xGe_x resonant tunneling diode
Si/Si1-xGex共振隧穿二极管
5) Si_ 1-xGe_x
Si1-xGex
1.
Strained Si_ 1-xGe_x and Si materials are successfully grown on Si substrate by ultraviolet light chemical vapor deposition under ultrahigh vacuum at a low substrate temperature of 450℃ and 480℃,respectively.
应用紫外光化学气相淀积技术在450和480℃超高真空的背景下在Si衬底上分别生长出应变Si1-xGex和Si材料。
6) Si1-xCx alloy
Si1-xCx合金
补充资料：Al-Si cast aluminium alloy
分子式：
CAS号：
性质：以硅为主要合金元素的铸造铝合金。硅的添加量范围为5％～25％，并添加镁、铜等元素，形成亚共晶型、共晶型或过共晶型合金。含硅量为5％～13％的亚共晶型或共晶型合金是工业生产中应用最广泛的铸造铝合金。良好的铸造工艺性能和气密性是它们的主要特点。含硅量在13％以上的过共晶型合金具有热膨胀系数小、耐磨性好等特点。
CAS号：
性质：以硅为主要合金元素的铸造铝合金。硅的添加量范围为5％～25％，并添加镁、铜等元素，形成亚共晶型、共晶型或过共晶型合金。含硅量为5％～13％的亚共晶型或共晶型合金是工业生产中应用最广泛的铸造铝合金。良好的铸造工艺性能和气密性是它们的主要特点。含硅量在13％以上的过共晶型合金具有热膨胀系数小、耐磨性好等特点。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条