1) Si1-yCy alloy films
Si1-yCy合金薄膜
1.
Si1-yCy alloy films,with the highest substitutional C fraction of 1.
22%的Si1-yCy合金薄膜,研究表明:处于替位式格点位置的C原子与Si原子成键,形成Si-C局域振动模;随着生长温度的降低,更多具有较低迁移率的C原子占据替位式格点,导致合金薄膜中的替位式C组分增加、间隙式缺陷减少,薄膜的晶体质量得到有效提高;相应地薄膜承受的张应力增大,外延层中Si(TO)声子模发生蓝移。
2) Si1-x-yGexCy alloy film
Si1-x-yGexCy合金薄膜
1.
Epitaxial growth of Ge graded Si1-x-yGexCy alloy film on Si(100) by chemical vapor deposition;
40的组分渐变的Si1-x-yGexCy合金薄膜, 研究了生长温度等工艺参数的影响。
3) Si 1-x-y Ge x C y films
Si1-x-yGexCy薄膜
4) Si1-xCx alloy
Si1-xCx合金
5) Si_1-xGe_x alloy
Si1-xGex合金
1.
Ab initio total-energy calculations were used to investigate the behaviors of C_iC_s and C_iO_i defects in Si and Si_1-xGe_x alloys.
采用从头计算(abinitio)的方法对Si和Si1-xGex合金半导体材料中CiCs缺陷的性质进行探讨,同时也对比调查了CiOi缺陷在Si和Si1-xGex合金中的性质。
6) Si_(1-x-y)Ge_xC_y alloy
Si1-x-yGexCy合金
1.
Present status of research in the physical characteristics of Si_(1-x-y)Ge_xC_y alloy is discussed.
文章对Si1-x-yGexCy合金材料物理特性的研究现状进行了概述,重点分析了替位式碳原子在Si1-xGex合金应变补偿和能带工程中的作用,并对其行为机理进行了分析和总结。
补充资料：东北轻合金加工厂生产的铝合金挤压管材和空心材
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参考词条