1) Si_1-xGe_x alloy
Si1-xGex合金
1.
Ab initio total-energy calculations were used to investigate the behaviors of C_iC_s and C_iO_i defects in Si and Si_1-xGe_x alloys.
采用从头计算(abinitio)的方法对Si和Si1-xGex合金半导体材料中CiCs缺陷的性质进行探讨,同时也对比调查了CiOi缺陷在Si和Si1-xGex合金中的性质。
2) Si_ 1-xGe_x
Si1-xGex
1.
Strained Si_ 1-xGe_x and Si materials are successfully grown on Si substrate by ultraviolet light chemical vapor deposition under ultrahigh vacuum at a low substrate temperature of 450℃ and 480℃,respectively.
应用紫外光化学气相淀积技术在450和480℃超高真空的背景下在Si衬底上分别生长出应变Si1-xGex和Si材料。
3) Si 1-x Ge x material
Si1-xGex材料
4) Si /Si1-xGex HEMT
Si/Si1-xGex HEMT
5) strained Si1-xGex
应变Si1-xGex
6) Si1-xCx alloy
Si1-xCx合金
补充资料：东北轻合金加工厂生产的铝合金挤压管材和空心材
东北轻合金加工厂生产的铝合金挤压管材和空心材
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