1) Si 1-x Ge x material
Si1-xGex材料
2) Si_ 1-xGe_x
Si1-xGex
1.
Strained Si_ 1-xGe_x and Si materials are successfully grown on Si substrate by ultraviolet light chemical vapor deposition under ultrahigh vacuum at a low substrate temperature of 450℃ and 480℃,respectively.
应用紫外光化学气相淀积技术在450和480℃超高真空的背景下在Si衬底上分别生长出应变Si1-xGex和Si材料。
3) Si /Si1-xGex HEMT
Si/Si1-xGex HEMT
4) Si_1-xGe_x alloy
Si1-xGex合金
1.
Ab initio total-energy calculations were used to investigate the behaviors of C_iC_s and C_iO_i defects in Si and Si_1-xGe_x alloys.
采用从头计算(abinitio)的方法对Si和Si1-xGex合金半导体材料中CiCs缺陷的性质进行探讨,同时也对比调查了CiOi缺陷在Si和Si1-xGex合金中的性质。
5) strained Si1-xGex
应变Si1-xGex
6) Si1-x-y Gex Cy alloys
Si1-x-yGexCy材料
补充资料：无晶界玻璃相的无压烧结Si_(3)N_(4)材料
无晶界玻璃相的无压烧结Si_(3)N_(4)材料
翼 无晶界玻璃相的无几烧结siN材料
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条