1) Pulse magnetron sputtering
脉冲磁控溅射
1.
The titania film deposited on cenosphere particles by pulse magnetron sputtering deposition was studied.
采用脉冲磁控溅射方法,开展了在空心微珠表面镀二氧化钛薄膜的研究。
2) direct current pulse magnetron sputtering(DC-PMS)
直流脉冲磁控溅射(DC-PMS)
3) mid-frequency pulsed magnetron sputtering
中频脉冲磁控溅射
1.
Using a 2% Al-doped Zn target,ZnO∶Al(ZAO)thin films were deposited on a glass substrate by mid-frequency pulsed magnetron sputtering.
利用中频脉冲磁控溅射方法,以掺杂质量2%Al的Zn(纯度99。
2.
Using a Zn target with 2wt% Al, ZnO:Al(ZAO)thin films which were used on silicon thin film solar cells were deposited on glass substrate by mid-frequency pulsed magnetron sputtering.
本文利用中频脉冲磁控溅射技术,以掺杂Al 2wt%的Zn:Al合金靶为靶材,研究了用于硅薄膜太阳电池的ZnO:Al(ZAO)透明导电薄膜,主要完成了以下几方面的工作: 1、本实验使用的是美国AE公司的中频脉冲电源,采用中频脉冲磁控溅射的方法,首先在玻璃衬底上制备平面透明导电薄膜。
3.
Using a Zn target with 2wt% Al, ZnO:A(lZAO)thin films which were used on silicon thin film solar cells were deposited on glass substrate by mid-frequency pulsed magnetron sputtering.
本文利用中频脉冲磁控溅射方法,以掺杂Al 2wt%的Zn:Al合金靶为靶材,制备了用于硅薄膜太阳电池的绒面ZAO透明导电薄膜。
4) direct current pulse magnetron sputtering
直流脉冲磁控溅射
1.
Mo films were prepared on the Soda-lime glass(SLG) substrates by direct current pulse magnetron sputtering(DC-PMS).
利用直流脉冲磁控溅射方法在玻璃衬底上制备太阳电池背接触Mo薄膜。
5) mid-frequency pulse magnetron sputtering
中频脉冲磁控溅射
1.
In this work, the performance of ZnO:Al(ZAO) film prepared by mid-frequency pulse magnetron sputtering was studied as follows:Zn metal target with 2wt% Al doped was used in the experiment.
本文利用中频脉冲磁控溅射系统研究了应用于硅薄膜太阳能电池上的铝掺杂的氧化锌(ZAO)透明导电薄膜的制备和性能,主要内容如下: 利用掺Al 2wt%的Zn:Al合金靶,通过变换工艺参数,研究了溅射功率、氧分压、工作压力以及衬底温度对ZAO薄膜电学、光学以及结构性能的影响,在实验和分析的基础上确定了最优工艺条件即:本底真空4。
6) HPPMS
高功率脉冲磁控溅射
1.
As a new technology providing high ionization rate of sputtering materials to deposit dense films with high performance,the high-power pulse magnetron sputtering(HPPMS) technology was\' comrehensively investigated in developed countries though it has seldom been reported in China.
高功率脉冲磁控溅射技术(HPPMS)作为一种溅射粒子离化率高、可以沉积致密、高性能薄膜的新技术已经在国外广泛研究,但在国内尚未见研究报道。
补充资料：磁控溅射
分子式：
CAS号：
性质：用一个环形永久磁体在乎板形靶上产生环形磁场，在磁场作用下，电子被约束在一个环状空间内，形成高密度的等离子环。在等离子环内，电子不断地使Ar原子变成Ar离子，Ar离子被加速后打向靶表面，把靶内的原子溅射出来，沉积在基片上形成薄膜。若靶材为导体，溅射电源可用直流或射频电源，如靶材是绝缘体，则必须用射频电源。用多源共溅射加后处理法可制备双面薄膜。将基片放置在靶中心线上，称为正轴溅射，基片放在靶轴线外；称为偏轴溅射。磁控溅射是广泛采用的制膜方法。
CAS号：
性质：用一个环形永久磁体在乎板形靶上产生环形磁场，在磁场作用下，电子被约束在一个环状空间内，形成高密度的等离子环。在等离子环内，电子不断地使Ar原子变成Ar离子，Ar离子被加速后打向靶表面，把靶内的原子溅射出来，沉积在基片上形成薄膜。若靶材为导体，溅射电源可用直流或射频电源，如靶材是绝缘体，则必须用射频电源。用多源共溅射加后处理法可制备双面薄膜。将基片放置在靶中心线上，称为正轴溅射，基片放在靶轴线外；称为偏轴溅射。磁控溅射是广泛采用的制膜方法。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条