1) magnetron co-sputtering
磁控共溅射
1.
Silicon carbide (SiC) nanocrystals embedded in silicon oxide (SiO2) matrix on Si(111) substrates were prepared by radio frequency (RF) magnetron co-sputtering using a SiO2/SiC composite target and adopting subsequent high temperature annealing.
采用二氧化硅/碳化硅复合靶,用射频磁控共溅射技术和后高温退火的方法在Si(111)衬底上制备了碳化硅纳米颗粒/二氧化硅基质(nc-SiC/SiO2)镶嵌结构薄膜材料,用X射线衍射(XRD),傅里叶红外吸收(FTIR),扫描电子显微镜(SEM)和光致发光(PL)实验分析了薄膜的微结构以及光致发光特性。
2.
SiC nanocrystals embedded in SiO2 matrix on Si(111)substrates were prepared by RF magnetron co-sputtering with a SiO2/SiC composite target and subsequent high temperature annealing.
采用二氧化硅/碳化硅复合靶,用射频磁控共溅射技术和后高温退火的方法在Si(111)衬底上制备了碳化硅纳米颗粒/二氧化硅基质(nc-SiC/SiO2)镶嵌结构薄膜材料。
3.
31) thin films were prepared on c-cut sapphire substrates by magnetron co-sputtering.
采用磁控共溅射法在Al2O3(0001)基片上沉积了Zn1-xCoxO(x=0。
2) RF magnetron co-sputtering
射频磁控共溅射
1.
SiO 2/TiO 2 composite thin films were prepared by RF magnetron co-sputtering.
采用射频磁控共溅射法制备了SiO2 /TiO2 复合薄膜 ,通过控制SiO2 靶与TiO2 靶的溅射时间可调节SiO2 与TiO2 的比例。
3) DC magnetron co-sputtering
直流磁控共溅射
5) magnetron sputtering
磁控溅射
1.
Preparation and characterization of anti-bacterial nonwovens by magnetron sputtering rare-earth activated TiO_2 onto PET fabric;
磁控溅射制备稀土激活TiO_2复合抗菌非织造布
2.
Effect of depositing process on microstructure chromium nitride coatings deposited by reactive magnetron sputtering;
反应磁控溅射沉积工艺对Cr-N涂层微观结构的影响
3.
Characterization study of Al magnetron sputtering coating on AZ31 magnesium alloy;
AZ31镁合金磁控溅射镀铝膜的性能研究
6) RF magnetron sputtering
磁控溅射
1.
Investigation on organic light-emitting diodes with TiO_2 ultra-thin films as hole buffer layer by RF magnetron sputtering;
磁控溅射法制备TiO_2空穴缓冲层的有机发光器件
2.
ZrN films were synthesized by inductively coupled plasma(ICP)-assisted RF magnetron sputtering.
利用电感耦合等离子体(ICP)辅助射频磁控溅射技术,在Si(111)片表面制备了ZrN薄膜。
3.
The ZnO films were grown on quartz substrates by rf magnetron sputtering.
本工作利用磁控溅射技术在石英衬底上生长出沿c轴择优取向的未掺杂ZnO薄膜,利用X射线衍射,光致发光,X射线光电子谱和Hall效应测量技术,研究了退火温度对结构、电学和光学性质的影响。
补充资料：磁控溅射
分子式：
CAS号：
性质：用一个环形永久磁体在乎板形靶上产生环形磁场，在磁场作用下，电子被约束在一个环状空间内，形成高密度的等离子环。在等离子环内，电子不断地使Ar原子变成Ar离子，Ar离子被加速后打向靶表面，把靶内的原子溅射出来，沉积在基片上形成薄膜。若靶材为导体，溅射电源可用直流或射频电源，如靶材是绝缘体，则必须用射频电源。用多源共溅射加后处理法可制备双面薄膜。将基片放置在靶中心线上，称为正轴溅射，基片放在靶轴线外；称为偏轴溅射。磁控溅射是广泛采用的制膜方法。
CAS号：
性质：用一个环形永久磁体在乎板形靶上产生环形磁场，在磁场作用下，电子被约束在一个环状空间内，形成高密度的等离子环。在等离子环内，电子不断地使Ar原子变成Ar离子，Ar离子被加速后打向靶表面，把靶内的原子溅射出来，沉积在基片上形成薄膜。若靶材为导体，溅射电源可用直流或射频电源，如靶材是绝缘体，则必须用射频电源。用多源共溅射加后处理法可制备双面薄膜。将基片放置在靶中心线上，称为正轴溅射，基片放在靶轴线外；称为偏轴溅射。磁控溅射是广泛采用的制膜方法。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条